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界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:214 | 2010-03-05

郑成枝

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以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为：Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒对场发射的影响：低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率，界面势垒对场发射不起阻碍作用，场发射遵守F-N规律；高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率，场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。
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