东芯半导体首次亮相工博会：用“芯”书写存储技术的工业创新!

 

 

工业新质

 

智造无界

 

 

2025中国国际工业博览会

 

9月的上海，秋意渐浓却挡不住工业作为工业技术的“风向标”，汇聚国内外企业，展示工业数字化、智能化的最新成果。在这场“工业盛宴”中，东芯半导体NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列产品矩阵首次亮相2025中国国际博览会，用自主研发的存储芯片产品矩阵，为工业领域的“智能升级”注入强劲“芯”动力。

 

 

首次

亮相5.2H 新一代新信息与技术展

 

东芯半导体此次带来的包含NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列产品矩阵，既有针对通用工业场景的高性能存储，也有针对细分领域的定制化解决方案，全面满足不同工业客户对“高可靠性、低功耗、高容量”的需求。

 

目前，我们SLC NAND Flash/NOR Flash以及我们MCP系列均有产品通过AEC-Q100的验证，实现宽温-40℃~105℃/125℃，具备满足严苛的工业级以及车规级应用环境的能力。

 

同时，我们不同产品系列具备不同性能特点，以满足细分领域下的不同需求，欢迎沟通了解！

 

01

 

SLC NAND Flash:高可靠性

SPI NAND Flash:

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。

 

PPI NAND Flash：

兼容传统的并行接口标准，高可靠性，满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，机顶盒等领域中广泛应用。

 

02

 

NOR Flash:低功耗

ETOX工艺,聚焦于大容量低功耗，

容量从64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 两种电压，

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、

DTR传输模式和多种封装方式。

 

03

 

DRAM:高传输

DDR3(L):

具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，是主流的内存产品。

 

LPDDR1/2/4X:

LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

 

04

 

MCP:高效集成

Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V

可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

其中DDR包含LPDDR1 / 2 / 4X 多种规格使其选择更加灵活丰富。产品可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。

 

作为本土存储芯片设计企业，我们将继续强化技术创新，

针对工业场景的特殊需求开发专属存储解决方案，

深化与工业设备厂商的合作，共同推动产业智能化升级，

为工业化数字化转型提供更加坚实的数据基石。

 

东芯，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案！

 

 

关于东芯

 

东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术，专业的技术服务实力，通过国内外技术引进和合作，致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。