SN74LV8T373-Q1 包含八个 D 型锁存器。所有通道共享一个锁存使能 (LE) 输入和输出使能 (OE) 输入。
输入采用降低阈值电路设计,以在电源电压大于输入电压时支持向上转换。此外,当输入电压大于电源电压时,5V 容差输入引脚可实现下平移。输出电平始终以电源电压 (VCC) 为基准,支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。
*附件:sn74lv8t373-q1.pdf
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C
- 设备 HBM ESD 分类 2 级
- 设备 CDM ESD 分类级别 C4B
- 提供可润湿侧翼 QFN 封装
- 1.65V 至 5.5V 的宽工作范围
- 5.5V 容差输入引脚
- 单电源电压转换器(参见LVxT增强型输入电压):
- 向上翻译:
- 1.2V 至 1.8V
- 1.5V至2.5V
- 1.8V 至 3.3V
- 3.3V 至 5.0V
- 下译:
- 5.0V、3.3V、2.5V 至 1.8V
- 5.0V、3.3V 至 2.5V
- 5.0V 至 3.3V
- 高达 150Mbps(5V 或 3.3V VCC)
- 支持标准功能引脚排列
- 闩锁性能超过250mAper JESD 17
方框图

1. 产品概述
- 型号:SN74LV8T373-Q1,符合AEC-Q100汽车级认证(工作温度-40°C至125°C)。
- 功能:集成8路D型锁存器,支持电平转换,共享锁存使能(LE)和输出使能(OE)控制。
- 关键特性:
- 宽电压范围:1.65V至5.5V,支持5.5V耐压输入。
- 电平转换能力:支持上下行电压转换(如1.8V↔5V、3.3V↔5V等)。
- 高速传输:最高150Mbps(5V/3.3V供电时)。
- 封装选项:TSSOP(PW)、VSSOP(DGS)、VQFN(RKS,含可润湿侧翼)。
2. 电气特性
- 电源电流:静态电流低至0.2µA(典型值),动态电流随输入电压变化(见图5-1至5-3)。
- 输入/输出电平:
- 输入高电平(VIH)最低1.1V(1.65V供电时),支持低电压信号输入。
- 输出驱动能力:±8mA至±25mA(不同供电电压下)。
- ESD防护:HBM 2kV,CDM 1kV。
3. 功能模式
- 锁存控制:
- LE=高电平时,数据从D端透明传输至Q端。
- LE=低电平时,Q端保持最后锁存状态。
- 输出控制:
- OE=低电平时,输出有效;OE=高电平时,输出高阻态。
- 上电状态:通过内部POR电路确保上电时输出为已知低电平。
4. 典型应用
- 场景:并行数据存储、数字总线缓冲(见图8-1)。
- 设计要点:
- 电源需满足快速上升时间(6µs/V至100ms/V)。
- 未用输入需通过上拉/下拉电阻(推荐10kΩ)固定电平。
- 输出负载电容建议≤50pF以保证时序性能。
5. 封装与布局
- 封装尺寸:最小为VQFN(4.5mm×2.5mm),含可润湿侧翼便于AOI检测。
- 热性能:VQFN封装热阻θJA=90.4°C/W,需注意散热设计。
6. 安全与兼容性
- 绝对最大额定值:输入电压范围-0.5V至7V,避免超出以免损坏器件。
- 钳位二极管:输入含负向钳位二极管,输出含双向钳位二极管。