BD9C301FJ同步整流降压DC/DC转换器文档介绍

BD9C301FJ是在1个芯片中内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压DC/DC转换器。输入电压范围广，最大可输出3A的电流。可由较少的外接部件构成，从而降低成本。是电流模式控制DC/DC转换器，具有高速瞬态响应性能，可轻松设定相位补偿。

*附件：BD9C301FJ.pdf

主要规格

型号 | BD9C301FJ-E2

封装 | SOP-J8

包装形态 | Taping

包装数量 | 2500

最小独立包装数量 | 2500

RoHS | Yes

尺寸图

特点：

• 同步单相直流 / 直流转换器
• 过流保护
• 热关断保护
• 欠压锁定保护
• 短路保护
• 固定软启动功能（1 毫秒）

典型应用电路

方框图

PCB 设计与散热要点

1. 布局核心原则

• 电流环路最小化 ：重点优化两个大脉冲电流环路 ——①高端 MOSFET 导通：CIN→VIN→SW→L→COUT→PGND→CIN；②低端 MOSFET 导通：低端 MOSFET→L→COUT→PGND→低端 MOSFET。环路需短而粗（推荐线宽≥1mm），减少寄生电感与辐射噪声，提升效率。
• 接地分离与连接 ：AGND（信号地）与 PGND（功率地）分开布线，FB、COMP 等敏感引脚接 AGND，输入 / 输出电容接 PGND，最终在靠近输出电容处单点连接 AGND 与 PGND，避免大电流干扰控制电路。
• 关键节点隔离 ：SW 节点（高频开关，电压波动大）需远离 FB、COMP 引脚（距离≥2mm）；输入电容与输出电容分开布局，避免输入谐波噪声影响输出纹波。

2. 散热设计

• 功率 dissipation 限制 ：1 层板（70mm×70mm×1.6mm）下最大功耗 0.68W（Ta=25℃），环境温度每升高 1℃需降额 5.45mW，例如 Ta=85℃时，最大功耗 = 0.68W - (85-25)×5.45mW≈0.35W。
• 散热优化 ：在 IC 下方及周围布置大面积 PGND 铜箔（推荐≥100mm²），通过增加铜箔面积降低热阻；若 PCB 为多层板，可通过过孔将 PGND 与内层地平面连接，提升散热能力。

总结

BD9C301FJ 作为一款宽输入电压同步降压 DC/DC 转换器，以 4.5V-18V 中压输入、3A 输出能力、电流模式控制及简单的相位补偿配置为核心优势，适配消费电子与网络设备的降压需求。其锁存型保护机制（SCP/OCP/TSD）提升系统安全性，固定软启动功能简化设计，但需注意保护触发后需通过 UVLO 或 EN 解锁。在实际应用中，需重点关注电流环路最小化、接地隔离与散热降额，结合输出电压需求合理配置反馈电阻与相位补偿元件，确保器件在中压输入场景下稳定高效运行，尤其适配对成本与易用性要求较高的非高危设备。