BD9C401EFJ是在1个芯片中内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压DC/DC转换器。输入电压覆盖4.5V-18.0V,输出电压可在0.8V-VIN×0.7V 调节(且需满足 VIN×0.125≥0.8V),最大输出电流达4A(绝对最大 4.5A)。器件内置低导通电阻功率 MOSFET(Pch 典型65mΩ、Nch 典型 35mΩ),采用电流模式控制实现高速瞬态响应,相位补偿配置简单
型号 | BD9C401EFJ-E2
封装 | HTSOP-J8
包装形态 | Taping
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
RoHS | Yes


| 保护类型 | 触发条件(典型值) | 动作方式 | 恢复方式 |
|---|---|---|---|
| 短路保护(SCP) | FB<0.56V 且持续 1ms | 锁存关断高低端 MOSFET,输出低电平 | 需将 VIN 降至 UVLO 以下(<3.8V)或 EN 拉低至≤0.8V 解锁 |
| 过流保护(OCP) | 高端 MOSFET 电流>4.5A | 周期 - by - 周期限制电流,异常持续时锁存 | 同 SCP 解锁方式 |
| 过热保护(TSD) | 结温 Tj>175℃ | 锁存关断所有输出 | Tj 降至 150℃以下后,需通过 UVLO 或 EN 解锁 |
| 欠压锁定(UVLO) | VIN<3.8V(下降沿) | 关断输出,禁止启动 | VIN 升至 4.0V 以上恢复工作 |
EN 引脚为高电平(≥2.0V)时器件激活,低电平(≤0.8V)时进入待机模式(待机电流典型 1μA)。需注意:若 VIN slew rate(上升 / 下降速率)过慢(上升<1.8V/ms、下降<0.9V/ms),需通过 EN 控制启动 / 关断,而非依赖 UVLO,避免 UVLO 输出异常导致器件误动作;若 EN 与 VIN 短接,需严格满足 VIN slew rate 要求(上升≥1.8V/ms、下降≥0.9V/ms)。
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