RF功率半导体缩水两年后增长迅速，5年后增长率达75%

根据Yole Développement公司最新名为“2017年RF功率市场和技术：GaN、GaAs以及LDMOS”的报告预测，随着电信运营商投入的减少，射频功率半导体市场在2015年和2016年缩水之后， 2016年至2222年该市场（3W以上的应用）将以9.8%的复合年均增长率（CAGR）增长，将从2016年的15亿美元增长到2022年的25亿美元以上，增长率达75%。

此增长趋势是由电信基站升级以及小型基站部署推动的。

Technology & market分析师Zhen Zong表示：“在未来五年内向5G实施的革命性转型正在极大改变RF技术的发展。”这不仅适用于智能手机应用，而且还适用于3W以上的射频电信基础设施应用；而5G在这一射频功率市场为复合半导体提供了巨大商机。

Yole表示，市场目前正处于4G网络即将完成的阶段，并开始向5G转型，但仍有许多工作要落实。然而，有些事情是肯定的：新的无线电网络将需要更多的设备和更高的频率。因此Yole断定，对于芯片供应商而言，特别是射频功率半导体芯片供应商而言，这将是一大良机。

Technology & market分析师Dr Hong Lin指出：“电信基础设施（包括基站和无线回程）的市场规模占总市场的一半左右。2016年至2022年间，基站市场预计将以12.5%的CAGR继续增长，而电信回程市场则将以5.3%的CAGR继续增长。”

同时，Yole指出，国防应用也为射频功率器件提供了良好的机会，因为采用砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）的固态技术替代传统的真空管设计是一种未来发展趋势。

在各种应用中，这些新技术提供了更好的性能、更小的尺寸和坚固性，因此它们逐渐占据了更多的市场份额。该市场在2016 - 2222年间将以4.3%的复合年均增长率（2022年上升20%）增长。