半导体产业,开疆拓土的先锋-Shockley

开疆拓土的先锋-Shockley

承担开疆拓土工作的，最为人们称道的就是William Shockley和美国的贝尔实验室。对半导体物理比较关注的人肯定听说过William Shockley，作为晶体管之父、诺贝尔物理学奖获得者（1956年）、点燃硅谷星星之火的人，自然是满身光环。

他在1955年离开了贝尔实验室并在加利福尼亚的Palo Alto创建了肖克利实验室。虽然肖克利试验室最终未能延续往昔的辉煌，但是它在西海岸建立了半导体制造业并为后来著名的硅谷奠定了基础。我们从这里也可以看到：一个产业的繁荣前期必定要有灵魂人物为其奠基，无疑，Shockley就是这样的人。

我们的中关村虽然是向硅谷看齐，但终究难以超越硅谷，一定程度上正是缺少了像Shockley这样的巨人为其注入灵魂！

硅时代“到来

早期的半导体器件是用锗半导体材料来制造的。德州仪器（TI）公司在1954年引入了第一个硅晶体管，从而改变了这一趋势。

可以说，TI公司将半导体产业引向了今天的道路上来。而在1956年和1957年贝尔实验室的两个技术进步，即扩散结和氧化掩膜的出现，使人们更加坚定的走向“硅时代”。

二氧化硅（SiO2）可以在硅表面上均匀产生，并且有和硅相近的膨胀系数，使得在进行高温处理时不会出现翘起变形，二氧化硅还是良好的绝缘材料，可以在硅表面上充当绝缘层。另外，它对形成N型和P型区所需的掺杂物有良好的阻挡作用。

由于这些技术的进步，Fairchild Camera公司在1960年引入了平面技术，以此可以在制造过程中形成和保护PN结。氧化掩膜的开发也使得可以通过晶圆的表面形成两个PN节，它们都位于同一平（plane）中，这种工艺将半导体技术引入用薄膜连线开发的阶段。

当然，这段时间的技术就像泉涌一样从各大公司的工程师的脑中涌现。

贝尔实验室又构想出了在晶圆表面沉积一层称为外延层的高纯度膜，再在其上形成晶体管的技术，使用这种技术可制作出更高速度的晶体管，并提供一个使得在双极型电路中元件封装更紧密的方案。