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电气驱动与控制技术、智能电网、光伏、新能源汽车等行业的发展是关乎国家/地区电网、工业、轨道交通等“命脉”工程的关键!PCIM Asia,作为专注于大功率电力电子产品及驱动技术和电能质量等应用方案的国际展览平台,云集了全球电力电子元器件及相关应用技术的知名厂商,一同探讨市场最新的研发产品和技术趋势。
“赋能世界,无尽能源!”在 PCIM Asia 2018上,英飞凌围绕这一理念,重磅展示了多款面向电力电子和可再生能源市场的领先产品和系统及应用解决方案:覆盖前沿的硅基MOSFET 和 IGBT 到数字化功率创新,以及最新的碳化硅和氮化镓技术等等。诚然,英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用,正在全面赋能整个电能供应链!想知道今年PCIM Asia有哪些亮点,就看英飞凌“Show Time”了~
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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7
1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术,可大幅降低损耗,并提供高度可控性。该芯片专门针对工业驱动器应用进行优化,可大幅降低静态损耗,提高功率密度,与EmCon7 1200 V 二极管技术构成IGBT开关,开关更为柔和。另外,通过将功率模块中允许过载的最高工作温度提高至 175℃,可显著提高功率密度。
全新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7拥有领先同类产品的性能(点击可查看高清大图)
02
CoolSiC™ MOSFET
CoolSiC™ MOSFET 1200V 是将设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。英飞凌在62mm 实现了3 毫欧姆的半桥模块,在EASY2B 封装中实现6 毫欧姆的半桥模块。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性,CoolSiC™ MOSFET 是光伏逆变器、UPS 和电动汽车充电等电源应用的最佳解决方案。
面向中国市场的光伏客户,英飞凌研发推出定制化产品,如三电平模块提高了组串型逆变器的单机的功率极限,采用碳化硅MOSFET 模块的应用,大大提高了效率和功率密度。
03
MIPAQ™ Pro,真正意义上的智能IGBT模块
MIPAQ™ Pro 是一款集成 IGBT、驱动、散热器、传感器、数字控制以及通讯总线的大功率智能功率模块(IPM)。英飞凌通过对诸如芯片工作结温、输出电流、直流电压等关键参数的实时监控,进行故障预警和保护,从而实现了强大的智能保护功能。如此一来,即可在减少设计冗余、实现功率输出最大化的同时,确保IPM可以在设定的极限范围内安全稳定工作,在设备出现故障隐患时,及时发现并有效预防,大大提高了设备的现场有效运行时间。
该系列产品可进一步通过并联信号延时可调设计,轻松实现并联扩展(可多至四模块并联),功率可达7 MW,其友好灵活的接口设计和参数在线设置调整功能让 MIPAQ™ Pro 的设计和操作都更加灵活自如。另外,模块亦集成英飞凌安全控制芯片,实现备件身份识别,确保系统的“纯正血统”和高质可靠性,使得备件管理更加智能规范。
› 1200V、1700V两种电压等级
› 半桥结构
› 额定电流最大至2400A
› 配风冷,水冷两种散热器
04
TRENCHSTOP™ Feature IGBT
为了提高 IGBT 使用的可靠性,越来越来的用户更倾向于 IGBT 本身自带多种保护或者集成多种功能,如过压保护、过流保护、过温保护、有源钳位、故障报警等。因此,英飞凌即将推出全新的多功能IGBT——TRENCHSTOP™ Feature IGBT。该系列 IGBT 包含多种组合,即根据不同应用的设计需求,集成不同保护或者其它功能,为用户提供一种设计简单但安全可靠的方案。
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IGBT 应用解决方案与系统解决方案
本次展会上,英飞凌展示的IGBT 应用解决方案包括了 IGBT 和碳化硅器件驱动方案和各种设计评估板,而系统解决方案则包括了电动汽车充电、逆变焊机、兆瓦级1500V 光伏逆变器和XHP™ 3并联方案等,它主要应用于电力机车和高速列车的牵引和辅助变流器、柔性高压直流输电,赋能关键系统节点以高质可靠性。
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基于英飞凌隔离型栅极驱动芯片1EDI + CoolSiC™ MOSFET + CoolSiC™ 肖特基二极管的30 kW直流充电模块参考设计,功率密度高达42.1 W/inch3,支持输出电压300 V - 750 VDC、输入电压280 V - 460VAC。对比传统15 kW直流充电模块,功率密度提升33%,负载效率高达96.5%,电路简洁易设计,更可扩展到60/120 kW以及更高功率直流充电桩。
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3.5 kW 焊机设计,搭载了市面上最先进的 D2PAK封装英飞凌650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT的160A单相手提式MMA焊机方案,额定输出160 ADC / 24 VDC,输入电压支持AC220 V±15%, 50/60 Hz,整体尺寸仅230 x 135 x 140 mm3。由于两颗高效率TRENCHSTOP™ 5 H5IGBT的采用,逆变器效率大大提高,其散热器仅是整流部分的三分之一大。
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搭载英飞凌最先进1200 V 单管IGBT6 (IKQ75N120CS6) 的400 A 三相手提式MAG/MIG/MMA焊机方案,额定输出400 ADC/ 30 VDC,输入电压AC380 V ±15%,50 Hz。与传统IGBT模块方案相比,该设计拥有更大的电流输出能力、更低的功耗、更好的热特性以及更低的系统成本等优势。
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英飞凌最新的光伏集中逆变器,支持1500 V系统,采用的IGBT5拥有更强的抗宇宙射线性能、更高的效率,并极大地提高了单机输出功率。PrimePACK™ 模块搭配TRENCHSTOP™ IGBT5与.XT技术,为系统设计带来了更高功率密度(增加25%)或更长寿命(延长10倍)。基于上述功率单元,英飞凌已实现“兆瓦级”1500V光伏逆变器三电平功率单元方案~
光伏集中逆变器为系统设计带来了更高功率密度或更长寿命
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DDPAK,创新正面散热SMD封装
在当今基于SMD的设计中,输出功率受PCB材料的热特性限制,因为热量必须通过电路板散发。DDPAK,创新正面散热SMD封装来满足大功率SMPS市场需求。得益于集成式4引脚开尔文源配置,可降低寄生源电感,减轻振荡倾向。采用正面散热SMD封装的CoolMOS™和CoolSiC™可在电路板与MOSFET之间实现更大温差及延长系统使用寿命。
基于DDPAK的SMD解决方案可在标准散热概念的电路板温度水平上实现高出20%的输出功率,从而在给定的外形尺寸下实现更高的功率密度。
基于DDPAK的SMD解决方案允许在标准散热概念的输出功率水平上以大约低12°C的电路板温度驱动应用,从而延长系统寿命。
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以上就是小编为你独家播报的英飞凌PCIM Asia现场直击,这些面向电力电子和可再生能源市场的一流解决方案有木有让你想Pick的冲动?
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