Microchip Technology 24CSM01 1-Mbit串行EEPROM的速度高达3.4MHz,工作电压范围为1.7V至5.5V。这些串行EEPROM支持多达八个器件共享一个共用I^2^C(两线)总线。24CSM01 EEPROM构成为131.072字节,每字节8位(12千字节),优化用于消费和工业应用。这些EEPROM具有4Kbit安全寄存器,前半部分为只读。安全寄存器在前16字节中包含工厂编程、确保唯一的128位序列号。
数据手册:*附件:Microchip Technology 24CSM01 1Mb串行EEPROM数据手册.pdf
24CSM01 EEPROM包含一个支持写保护行为的配置寄存器和一个只读纠错状态锁存(ECS)。这些串行EEPROM采用内置纠错码(ECC)方案,可在4字节读取中纠正多达一个错误读取位。24CSM01 EEPROM支持I^2^C制造商识别(ID)命令,可返回24CSM01的唯一值,从而在应用中轻松识别。这些串行器件采用PDIP-8、SOIC-8、SOIJ-8、UDFN-8、TSSOP-8、MSOP-8和WLCSP-8封装。
特性
- 1-Mbit电子擦除可编程只读存储器:
- 内部构造为一个131.072 x 8位
- 字节或页面写入高达256个字节
- 字节或顺序读取
- 自定时写入周期:5 ms(最大值)
- 高速I^2^C接口:
- 高速模式支持3.4MHz
- 行业标准1MHz、400kHz和100kHz
- 输出斜率控制,消除接地弹跳
- 用于噪声抑制的施密特触发器输入
- 安全寄存器
- 可编程128位序列号
- 用户可编程和可锁定256字节ID页面
- 内置纠错码(ECC)逻辑:
- 支持I^2^C制造商识别功能
- 多功能数据保护选项
- 硬件写保护 (WP) 引脚,用于全阵列数据保护
- 通过配置寄存器增强软件写保护
- 工作电压范围:1.7 V至5.5 V
- 低功耗CMOS技术:
- 写入电流:3mA(最大值,5.5V时)
- 读取电流:1mA(最大值,5.5V、1MHz时)
- 待机电流:1µA(5.5V时,I-temp)
- 高可靠性:
- 超过100万次擦除/写入循环
- 内置ECC逻辑,提高可靠性
- 数据保留:>200年
- ESD保护:>4000V
- 温度范围:
- 工业 (I) :-40 °C至85 °C
- 扩展温度 (E):-40 °C至125 °C
- 符合汽车类AEC-Q100标准
- 符合RoHS标准
使用串行EEPROM进行系统配置

方框图

基于Microchip 24CSM01串行EEPROM的技术解析与应用指南
一、核心特性概述
Microchip 24CSM01是一款1Mb(128KB)容量的I2C接口串行EEPROM,具有以下技术亮点:
- 高速通信:支持3.4MHz高速模式,兼容标准1MHz/400kHz/100kHz时钟
- 安全机制:
- 预编程128位唯一序列号(只读)
- 可锁定的256字节用户ID页
- 硬件写保护引脚(WP) + 可配置的软件写保护模式
- 增强可靠性:
- 内置ECC纠错逻辑(可修正单比特错误)
100万次擦写周期
- 200年数据保存期限
二、硬件设计要点
- 引脚配置:
- 标准8引脚封装(MSOP/PDIP/SOIC等)
- 关键信号:
- SDA/SCL:开漏I2C总线,需上拉电阻(1MHz时推荐2kΩ)
- A1/A2:器件地址选择引脚
- WP:写保护使能(低电平解锁)
- 电气特性:
三、典型应用场景
- 设备序列化管理:
- 直接读取预编程的128位唯一ID
- 避免产线序列号烧录环节
- 关键参数存储:
- 校准数据(受写保护区域保护)
- 设备运行日志(支持顺序读取)
- IoT设备认证:
四、设计注意事项
- 时序要求:
- 写入周期时间:5ms(最大值)
- 电源上升速率:<0.1V/μs
- PCB布局建议:
- SDA/SCL走线长度匹配
- 靠近主控放置,减少总线电容
- 故障排查:
- 通过ACK polling检测写入完成
- 高可靠应用建议启用ECC监控
五、选型对比
| 特性 | 24CSM01 | 竞品A | 竞品B |
|---|
| 最大时钟 | 3.4MHz | 1MHz | 400kHz |
| 写保护粒度 | 128KB分区 | 全片 | 无 |
| 唯一ID | 128位 | 无 | 64位 |