‌DRV8262-Q1 三相电机驱动器总结

科技绿洲 2025-10-11 1163

描述

DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器，适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥，用于驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流，在单 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出和保护电路。

高侧 MOSFET 上的集成电流检测允许驱动器在启动和高负载事件期间调节电机电流。电流限制可以通过可调节的外部基准电压源进行设置。该器件还为每个 H 桥提供与电机电流成正比的输出电流。集成传感消除了对分流电阻器的需求，从而减少了电路板面积和系统成本。
*附件：drv8262-q1.pdf

提供低功耗睡眠模式，以实现超低静态电流。为电源欠压锁定（UVLO）、电荷泵欠压（CPUV）、输出过流（OCP）和器件过热（OTSD）提供内部保护功能。

特性

符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
功能安全功能
- 可用于帮助功能安全系统设计的文档
- 单或双 H 桥电机驱动器
- 驱动一个或两个有刷直流电机
- 一个步进电机
- 一个或两个热电冷却器（TEC）
4.5V 至 60V 工作电源电压范围
低 RDS（ON）：
- 100mΩ HS + LS（双 H 桥）
- 50mΩ HS + LS（单 H 桥）
高输出电流能力：
- 双 H 桥（24V，25 °C）：8A 峰值
- 单 H 桥（24V，25 °C）：峰值 16A
可编程作接口 -
- 相位/使能（PH/EN）
- PWM（输入/输入）
集成电流检测和调节
- 用于高侧MOSFET的电流检测
- 每个 H 桥的检测输出（IPROPI）
- ± 最大电流下 4% 的检测精度
独立逻辑电源电压（VCC）
可配置的关断时间PWM斩波
- 7、16、24 或 32μs
可编程故障恢复方法
支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
低电流睡眠模式（3μA）
保护功能
- VM 欠压锁定（UVLO）
- 电荷泵欠压（CPUV）
- 过流保护（OCP）
- 热关断（OTSD）
- 故障条件输出（nFAULT）

参数
峰值电流

方框图
峰值电流

‌1. 核心特性‌

‌宽电压范围‌
- 支持4.5V至60V输入电压，适用于24V/48V汽车应用（AEC-Q100认证）。
- 单/双H桥配置，支持驱动：
  - 1-2个有刷直流电机
  - 1个步进电机
  - 1-2个热电制冷器（TEC）
- 低导通电阻：
  - 双H桥模式：100mΩ（高边+低边）
  - 单H桥模式：50mΩ（高边+低边）
‌高电流能力‌
- 双H桥模式：8A峰值电流（24V, 25°C）
- 单H桥模式：16A峰值电流（24V, 25°C）
‌集成电流检测‌
- 高边MOSFET电流检测，精度±4%（满量程电流）。
- 提供比例电流输出（IPROPI），无需外部分流电阻。
‌保护功能‌
- 过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）、热关断（OTSD）。
- 故障指示通过nFAULT引脚输出。
‌低功耗模式‌
- 睡眠模式电流仅3µA。

‌2. 关键功能‌

‌控制接口‌
- ‌PH/EN模式‌：方向+使能控制。
- ‌PWM模式‌：直接PWM输入，支持高阻态。
‌电流调节‌
- 通过VREF引脚设置电流限制阈值。
- 可编程关断时间（7μs至32μs）。
‌衰减模式‌
- 支持慢衰减、混合衰减和智能动态衰减模式。
‌封装与引脚‌
- 44引脚HTSSOP（DDW）封装，带散热焊盘。
- 单/双H桥模式通过MODE1/MODE2引脚配置。

‌3. 典型应用‌

‌汽车电子‌：车窗升降、天窗、座椅调节、转向柱。
‌工业设备‌：有刷电机驱动、步进电机控制。
‌ 热电制冷（TEC） ‌：支持双向电流控制，集成LC滤波设计。

‌4. 设计要点‌

‌布局建议‌
- VM引脚需靠近放置0.01μF陶瓷电容和 bulk电容。
- 散热焊盘需通过多过孔连接至底层地平面。
‌ 电流检测电阻（RIPROPI） ‌
- 根据公式计算：RIPROPI = VREF / (ITRIP × 212μA/A)。
‌热管理‌
- 4层PCB可显著降低热阻（RθJA低至22.2°C/W）。

‌5. 保护机制‌

‌故障恢复‌
- OCPM引脚选择锁存或自动重试模式。
‌热关断‌
- 结温>150°C触发，滞后20°C恢复。

‌6. 参考设计‌

提供典型应用电路（见图7-1至图7-7），包含：
- 电机/TEC驱动接口
- LC滤波设计（TEC应用）
- 电流检测电路配置

打开APP阅读更多精彩内容