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DRV8316C-Q1 汽车级三相集成FET电机驱动器技术手册总结
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2025-10-13
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描述
1. 产品概述
型号
:DRV8316C-Q1,AEC-Q100认证的汽车级三相无刷电机驱动器(BLDC)。
版本
:SLVSH52(2023年2月发布)。
核心特性
:
集成三相H桥
:内置95mΩ(典型值)MOSFET,支持8A峰值输出电流。
宽电压范围
:4.5V至35V工作电压(40V绝对最大值)。
灵活控制接口
:支持6x/3x PWM控制模式,兼容有感/无感FOC、正弦或梯形控制。
集成电流检测
:无需外置检流电阻,内置电流放大器(增益可调)。
电源管理
:集成3.3V/5V可调降压稳压器(200mA)和3.3V LDO(30mA)。
保护功能
:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、过热警告/关断(OTW/OTSD)等。
2. 关键参数
导通电阻
:高边+低边MOSFET合计95mΩ(25°C时)。
电流能力
:8A峰值电流(持续电流需考虑散热)。
PWM频率
:最高200kHz。
睡眠模式
:静态电流低至2.5μA(nSLEEP=0时)。
3. 功能亮点
电流检测与调节
:
内置三路双向电流检测放大器(CSA),支持0.15V/A至1.2V/A增益可调。
通过VREF引脚设置参考电压,SOx引脚输出比例电流信号。
控制模式
:
6x PWM模式
:独立控制每相高低边MOSFET。
3x PWM模式
:简化控制逻辑,适合传感器less应用。
电流限制模式
:通过ILIM引脚设置阈值,支持周期逐限流。
主动消磁(Active Demagnetization)
:减少二极管导通损耗,提升效率。
4. 典型应用
场景
:
汽车LIDAR、小型风扇/泵、执行器。
驱动负载:12V BLDC电机(功率<40W)、电磁阀、TEC模块。
设计要点
:
需外接1μF(CP)、47nF(CPH-CPL)电容,建议低ESR陶瓷电容靠近VM引脚。
布局时需注意散热设计(VQFN封装热阻22.2°C/W)。
5. 保护机制
电压保护
:UVLO(4.3V)、OVP(34V可调)。
电流保护
:OCP(16A/24A可选),支持锁存、自动重试等模式。
温度保护
:OTW(145°C预警)、OTSD(180°C关断)。
故障指示
:nFAULT引脚输出,SPI可读取详细故障状态。
6. 对比硬件与SPI版本
DRV8316CR-Q1(SPI版)
:支持5MHz SPI配置寄存器及诊断。
DRV8316CT-Q1(硬件版)
:通过电阻配置关键参数(如增益、OCP阈值)。
7. 设计注意事项
热管理
:计算总功耗需考虑导通损耗(P=I²RDS(ON))和开关损耗。
布局建议
:VM引脚需就近放置0.1μF陶瓷电容+大容量电解电容,散热焊盘多过孔接地。
8. 典型性能曲线
提供导通电阻随温度变化、Buck效率与负载关系等曲线(见手册第7.8节)。
*附件:drv8316c-q1.pdf
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