芯原亮相第十届上海FD-SOI论坛

2025年9月25日，第十届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店圆满举办。本次论坛由芯原股份 (简称“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。超过300位来自衬底、晶圆厂、IDM、芯片设计公司和系统厂商等FD-SOI产业链的海内外重要嘉宾齐聚一堂，共同探讨FD-SOI技术成果与应用前景。

芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民博士首先为论坛开幕致辞。他表示，自2013年首届论坛举办以来，上海FD-SOI论坛已成功举办十届，成为推动FD-SOI技术生态构建与产业发展的重要平台。

戴博士指出，面对FD-SOI技术发展初期的生态瓶颈，芯原以“IP先行”的策略主动破局，通过率先布局并持续投入FD-SOI IP开发，为产业链提供了关键的设计基础。目前，芯原已构建涵盖基础IP、数模转换IP、接口协议IP等在内的众多FD-SOI IP，这其中，在基于22nm FD-SOI工艺所开发的IP中，有60多个IP已累计向45家客户授权超过300次；同时已完成43个FD-SOI芯片设计项目，其中33个项目实现量产，有力推动了FD-SOI技术从研发走向规模化商用。

展望未来，戴博士强调，FD-SOI技术与FinFET构成“两条腿走路”的互补格局。FD-SOI以其低功耗、高集成度等特性，尤其适合边缘AI、物联网、汽车电子等应用场景。他呼吁产业链各方继续深化合作，共同推动FD-SOI技术创新与生态完善，为全球半导体产业的可持续发展注入新动能。

随后，IBS首席执行官Handel Jones以《边缘AI与FD-SOI技术的机遇分析》为题发表演讲，深入剖析了人工智能 (AI)，特别是边缘AI，为全球半导体产业带来的新一轮增长浪潮，并强调了FD-SOI技术在这一变革中的战略价值。

他指出，AI设备正取代手机成为半导体市场新的核心驱动力，边缘AI应用将呈现多元化爆发态势，智能手机作为数据集成中枢，将与智能眼镜、自动驾驶、智能机器人等共同推动对低功耗、高性能芯片的巨大需求。针对这一趋势，Handel Jones强调FD-SOI在超低功耗与无线连接方面的独特优势，使其在智能穿戴、图像处理等应用中较传统体硅CMOS和FinFET更具竞争力。他呼吁中国产业界通过国际合作，加快完善从衬底材料、芯片制造到IP设计的完整FD-SOI生态，并认为发展12nm FD-SOI有望在众多应用中对7nm FinFET实现替代。

专题一

FD-SOI工艺的技术优势和发展趋势

论坛上午的专题主要围绕FD-SOI工艺的技术优势和发展趋势展开。格罗方德超低功耗产品线高级副总裁Ed Kaste，三星晶圆代工副总裁、技术规划部门2主管Taejoong Song，意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平，Soitec首席执行官Pierre Barnabé分别就《推动FD-SOI技术创新：专为边缘AI打造》、《三星晶圆代工对FD-SOI的未来愿景》、《意法半导体：以FD-SOI推动创新》，以及《面向未来的创新且可持续的半导体材料设计》这几个主题发表了演讲。

随后，戴伟民博士主持了专题一的圆桌讨论环节，与演讲嘉宾Ed Kaste，曹志平，Handel Jones，Pierre Barnabé，以及三星晶圆代工高级副总裁、中国销售主管卓铭，共同围绕FD-SOI技术从成熟节点向12nm及更先进节点演进的必要性与挑战，不同应用领域 (如边缘AI、汽车电子、射频通信) 对工艺微缩的差异化需求，嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 在FD-SOI平台上的技术成熟度及其所能催生的“杀手级应用”等议题展开深入探讨。现场观众就关键议题参与了实时投票，直观反映了产业界对FD-SOI未来发展的共识与差异化思路。

以下为专题一圆桌讨论的现场投票结果

问题：将FD-SOI技术推进至12nm甚至10nm以下节点，是否存在强有力的技术与经济依据？哪些特定应用 (领域边缘AI、汽车电子、射频技术) 需要这样的工艺微缩？

投票：在28nm、22nm FD-SOI之后，是否有必要推出12nm或10nm以下FD-SOI？(单选)

67%以上的现场嘉宾认为在28nm、22nm FD-SOI之后，有必要推出12nm和10nm以下FD-SOI

问题：FD-SOI平台上嵌入式非易失性存储器 (MRAM、RRAM、PCM) 的技术成熟度如何？能体现FD-SOI + eNVM独特价值的杀手级应用有哪些？

投票：能体现FD-SOI + eNVM独特价值的杀手级应用有哪些？(选三项)

排名前三的选项为：汽车安全控制器、安全物联网设备、边缘AI

专题二

FD-SOI的设计实现

下午的专题聚焦FD-SOI的设计实现。MIPS首席执行官Sameer Wasson，清华大学电子工程系教授陈文华，芯原执行副总裁、定制芯片平台事业部总经理汪志伟，CEA-Leti硅组件部门副主管Martin Gallezot，Soitec执行副总裁René Jonker，Soitec高级业务发展经理James Zhang，Dolphin Semiconductor亚洲区销售总监Ying Zhao分别就《从聊天机器人到机器人》、《基于22nm FD-SOI CMOS的毫米波与太赫兹电路设计》、《基于FD-SOI的IP和芯片设计平台》、《迈向10nm以下FD-SOI技术》、《FD-SOI：高效能边缘AI与智能物联网的革命性技术》，以及《面向可听设备与可穿戴设备的新一代基于GF 22FDX+工艺的IP核》这几个主题进行了分享。

在下午的圆桌讨论中，主持人戴伟民博士与演讲嘉宾James Zhang、汪志伟、陈文华和Ying Zhao从产学研多维视角展开了深度对话，重点探讨了静态体偏置 (SBB)、自适应体偏置 (ABB) 和动态体偏置 (DBB) 的技术特点、适用范围和发展趋势，以及发展DBB技术目前所面临的关键挑战与核心驱动因素。其他话题还包括基于FD-SOI工艺实现毫米波/太赫兹射频电路的具体设计突破，以及FD-SOI技术在可穿戴设备中的设计实现和突破等议题。现场观众就上述圆桌话题进行了实时投票，分享了他们对这些话题的看法，为讨论提供了专业的应用端反馈和市场洞察。

以下为专题二圆桌讨论的现场投票结果

问题：FD-SOI中的动态体偏置 (DBB)：推动其更广泛应用的主要场景与挑战是什么？

投票：FD-SOI SoC中动态体偏置最重要的优势是什么？(选三项)

排名前三的选项为：动态性能功耗调优、降低漏电、工艺偏差补偿

投票：目前动态体偏置技术主要受到哪些应用的驱动？(选三项)

排名前三的选项为：超低功耗物联网设备、可穿戴与可听设备、常开感知系统

问题：FD-SOI在射频领域已展现出优秀的线性度和低寄生效应。在毫米波和太赫兹电路设计中 (例如功率放大器、相移器、频率发生器)，使用FD-SOI实现的具体设计突破有哪些？

投票：FD-SOI在毫米波和太赫兹电路设计中最关键的优势是哪些？(选两项)

排名前三的选项为：低寄生效应、卓越射频线性度、高集成度

问题：有哪些设计创新 (例如专用IP、体偏置、优化的射频技术) 使得FD-SOI在可穿戴设备和助听设备领域占据优势地位？

投票：FD-SOI在可穿戴/可听设备中最有价值的特性是什么？(选三项)

排名前三的选项为：超低漏电、更长的电池续航时间、常开感知支持

会议结束后，主办方之一芯原特别安排了黄浦江邮轮晚宴，与会嘉宾在璀璨夜景与轻松交流中共叙产业未来，为本次活动画上了圆满的句号。