该DRV8220是一款集成电机驱动器,具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。电荷泵集成了所有电容器,以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸,并允许 100% 占空比运行。
该DRV8220支持多种控制接口模式,包括:PWM(IN1/IN2)、相位/使能(PH/EN)、独立半桥和并行半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。DSG 封装支持 nSLEEP 引脚,以使用逻辑信号输入控制睡眠模式。
*附件:drv8220.pdf
该器件可提供高达 1.76 A 的输出电流。它的工作电源电压为 4.5 至 18 V。
该驱动器提供强大的内部保护功能,包括电源欠压锁定 (UVLO)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (TSD)。
该DRV8220是引脚可扩展R DS(开) 以及电源电压选项,以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。有关此系列中设备的信息,请参阅设备比较。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。
特性
- N 沟道 H 桥电机驱动器
- MOSFET 导通电阻:HS + LS 1 Ω
- 驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
- 推挽式和双稳态电磁阀
- 其他电阻、电感或 LED 负载
- 4.5V 至 18V 工作电源电压范围
- 高输出电流能力:
- 全桥:1.76-A 峰值
- 半桥:每个输出 1.76A 峰值
- 并联半桥:3.52-A 峰值
- 多个接口,实现灵活性并减少 GPIO
- 标准PWM接口(IN1/IN2)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 超低功耗睡眠模式
- 960 纳安 @ 伏
虚拟机 = 12 伏,T J = 25°C - 定时自动睡眠模式可减少 GPIO
- 保护功能
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
- 设备系列。有关详细信息,请参阅设备比较。
参数

方框图

1. 核心特性
- 多接口控制:支持PWM(IN1/IN2)、PH/EN(相位/使能)、独立半桥和并联半桥模式,兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
- 宽电压范围:工作电压4.5-18V,峰值输出电流1.76A(全桥)或3.52A(并联半桥),内置电荷泵支持100%占空比。
- 低功耗设计:睡眠模式电流仅960nA(VVM=12V),支持自动睡眠(PWM/PH/EN模式)和nSLEEP引脚手动睡眠。
- 集成保护:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(TSD)。
2. 关键功能模块
- H桥驱动:内置4个N沟道MOSFET(RDS(on)典型值500mΩ),支持双向电机、单/双线圈继电器、电磁阀等负载。
- 控制逻辑:
- PWM模式(DRL/DSG封装):IN1/IN2控制方向与制动。
- PH/EN模式(DSG封装):单PWM信号+方向控制,减少MCU资源占用。
- 半桥模式(DSG封装):独立控制高低侧驱动,支持并联输出降低导通电阻。
- 电荷泵:集成电容,简化PCB设计。
3. 应用场景
- 消费电子:电动牙刷、美容仪器、玩具机器人。
- 工业设备:电表、断路器、智能锁、IP摄像头IR滤光片驱动。
- 医疗设备:血压计、输液泵。
4. 保护机制
- UVLO:VM<4.5V时禁用输出,恢复后自动重启。
- OCP:过流触发后禁用对应半桥,tRETRY后重试。
- TSD:结温>193°C关断,滞后22°C恢复。
5. 封装与热管理
- 封装选项:
- DRL(6引脚SOT-563):1.2mm×1.6mm,仅支持PWM模式。
- DSG(8引脚WSON):2mm×2mm,支持全功能模式。
- 热性能:提供RθJA(94.7°C/W for DSG)、ΨJB等参数,建议优化PCB铜面积散热。
6. 设计要点
- 布局建议:VM旁路电容(0.1μF陶瓷+大容量电解)靠近引脚,缩短高电流路径。
- 电流检测:GND引脚串联电阻(最大0.5V压降)支持负载监测。
- 并联半桥:通过连接IN1/IN2和OUT1/OUT2降低导通电阻至1/4。
7. 典型应用电路
- 电机驱动(PWM/PH/EN模式)、单/双线圈继电器控制、高/低侧独立负载驱动(如阀门+泵)。
8. 文档结构
- 包含特性、引脚定义、电气参数、功能框图、应用示例及布局指南,提供完整的驱动配置与保护逻辑说明。