‌DRV8212 11V H桥电机驱动器技术文档总结

描述

该DRV8212是一款集成电机驱动器,具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构允许该器件在低至 1.65 V 的电压下工作,以适应 1.8V 电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器,以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸,并允许 100% 占空比运行。
*附件:drv8212.pdf

该DRV8212支持多种控制接口模式,包括:PWM(IN1/IN2)、相位/使能(PH/EN)、独立半桥和并行半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。

该器件可提供高达 4A 的峰值输出电流。它的工作电源电压为 1.65 V 至 5.5 V。

该驱动器提供强大的内部保护功能,包括电源欠压锁定 (UVLO)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (TSD)。

该DRV8212是引脚可扩展 R 系列器件的一部分 DS(开) 以及电源电压选项,以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。有关此系列中设备的信息,请参阅设备比较。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。

特性

  • N 沟道 H 桥电机驱动器
    • MOSFET 导通电阻:HS + LS 280 mΩ
    • 驱动一个双向有刷直流电机
    • 两个单向有刷直流电机
    • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
    • 推挽式和双稳态电磁阀
    • 其他电阻、电感或 LED 负载
  • 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
  • 高输出电流能力:
    • 全桥:4-A 峰值
    • 半桥:每个输出 4A 峰值
    • 并联半桥:8-A峰值
  • 多个接口,实现灵活性并减少 GPIO
  • 标准PWM接口(IN1/IN2)
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 超低功耗睡眠模式
    • <84.5 nA @ 伏 虚拟机 = 5 伏,伏 VCC的 = 3.3 伏,T J = 25°C
    • 定时自动睡眠模式可减少 GPIO
  • 保护功能
    • 欠压锁定 (UVLO)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (TSD)
  • 设备系列。有关详细信息,请参阅设备比较。
    • DRV8210:1.65-11 V,1 Ω,多个接口
    • DRV8210P:睡眠引脚、PWM接口
    • DRV8212:1.65-11 V,280 mΩ,多个接口
    • DRV8212P:睡眠引脚、PWM接口
    • DRV8220:4.5-18 V,1 Ω,多个接口

参数
电荷泵

方框图
电荷泵

1. 核心特性

  • 多接口控制‌:支持PWM(IN1/IN2)、PH/EN(相位/使能)、独立半桥和并联半桥模式,兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
  • 宽电压范围‌:工作电压1.65-11V(DRL封装)或0-11V(DSG封装),峰值输出电流4A(全桥)或8A(并联半桥),内置电荷泵支持100%占空比。
  • 超低功耗睡眠模式‌:睡眠电流低至84.5nA(VVM=5V时),支持自动睡眠(PWM/PH/EN模式)和VCC引脚手动睡眠(DSG封装)。
  • 集成保护‌:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(TSD)。

2. 关键功能模块

  • H桥驱动‌:内置4个N沟道MOSFET(RDS(on)典型值280mΩ),支持双向直流电机、单/双线圈继电器、电磁阀等负载。
  • 控制逻辑‌:
    • PWM模式‌(DRL/DSG封装):IN1/IN2控制方向与制动。
    • PH/EN模式‌(DSG封装):单PWM信号+方向控制,减少MCU资源占用。
    • 半桥模式‌(DSG封装):独立控制高低侧驱动,支持并联输出降低导通电阻至1/4。
  • 电荷泵‌:集成电容,简化PCB设计。

3. 应用场景

  • 消费电子‌:电动牙刷、美容仪器、玩具机器人。
  • 工业设备‌:水电表、智能锁、IP摄像头IR滤光片驱动。
  • 医疗设备‌:血压计、输液泵。

4. 保护机制

  • UVLO‌:VCC<1.3V(DSG)或VM<1.3V(DRL)时禁用输出,恢复后自动重启。
  • OCP‌:过流触发后禁用对应半桥,1.7ms后重试。
  • TSD‌:结温>193°C关断,滞后22°C恢复。

5. 封装与热管理

  • 封装选项‌:
    • DRL‌(6引脚SOT-563):1.2mm×1.6mm,仅支持PWM模式。
    • DSG‌(8引脚WSON):2mm×2mm,支持全功能模式。
  • 热性能‌:提供RθJA(77.9°C/W for DSG)、ΨJB等参数,建议优化PCB铜面积散热。

6. 设计要点

  • 布局建议‌:VM/VCC旁路电容(0.1μF陶瓷)靠近引脚,缩短高电流路径。
  • 电流检测‌:GND引脚串联电阻(最大0.5V压降)支持负载监测。
  • 并联半桥‌:通过连接IN1/IN2和OUT1/OUT2降低导通电阻至1/4。

7. 典型应用电路

  • 电机驱动(PWM/PH/EN模式)、继电器控制、高/低侧独立负载驱动(如阀门+泵)。

8. 文档结构

  • 包含特性、引脚定义、电气参数、功能框图、应用示例及布局指南,提供完整的驱动配置与保护逻辑说明。
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