‌DRV8212P 11V H桥电机驱动器技术文档总结

该DRV8212P是一款集成电机驱动器，具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构允许该器件在低至 1.65 V 的电压下工作，以适应 1.8V 电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器，以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并允许 100% 占空比运行。

该DRV8212P支持行业标准PWM（IN1/IN2）控制接口。nSLEEP引脚控制低功耗睡眠模式，通过禁用内部电路实现超低静态电流消耗。
*附件：drv8212p.pdf

该器件可提供高达 4A 的峰值输出电流。它的工作电源电压为 1.65 V 至 5.5 V。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定 （UVLO）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （TSD）。

该DRV8212P是引脚可扩展R DS（开） 以及电源电压选项，以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。

特性

• N 沟道 H 桥电机驱动器
  • MOSFET 导通电阻：HS + LS 280 mΩ
  • 驱动一个双向有刷直流电机
  • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
• 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
• 高输出电流能力：4A 峰值
• 标准PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虚拟机 = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 引脚对引脚，带DRV8837和DRV8837C
• 保护功能
  • 欠压锁定 （UVLO）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （TSD）
• 设备系列。有关详细信息，请参阅第 5 节。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多个接口
  • DRV8210P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多个接口
  • DRV8212P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多个接口

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌H桥驱动架构‌：集成4个N沟道MOSFET（总导通电阻280mΩ），支持双向直流电机、单/双线圈继电器驱动。
• ‌宽电压范围‌：工作电压1.65-11V（逻辑电源VCC需≥1.65V），峰值输出电流4A，支持100%占空比运行。
• ‌超低功耗睡眠模式‌：睡眠电流低至84.5nA（VVM=5V时），通过nSLEEP引脚控制，兼容DRV8837/C封装。
• ‌多保护机制‌：欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、热关断（TSD）。

‌2. 控制模式‌

• ‌PWM接口‌（IN1/IN2）：支持正向/反向驱动、制动（低边慢衰减）和高阻态（滑行）。
• ‌逻辑兼容性‌：兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入，内部集成下拉电阻。

‌3. 典型应用‌

• ‌消费电子‌：电动牙刷、美容仪、玩具电机。
• ‌工业设备‌：智能锁、水电表、IP摄像头IR滤光片驱动。
• ‌医疗设备‌：血压计、输液泵。

‌4. 关键设计参数‌

• ‌热管理‌：WSON封装（2mm×2mm），RθJA=77.9°C/W，需优化PCB铜面积散热。
• ‌布局建议‌：VM/VCC旁路电容（0.1μF陶瓷）需靠近引脚，缩短高电流路径。
• ‌电流检测‌：GND引脚串联电阻（最大0.5V压降）支持负载监测。

‌5. 保护功能详解‌

• ‌UVLO‌：VCC<1.3V时禁用输出，恢复后自动重启。
• ‌OCP‌：过流触发后禁用对应半桥，1.7ms后重试。
• ‌TSD‌：结温>193°C关断，滞后22°C恢复。

‌6. 家族对比‌

• ‌DRV8210P‌：1Ω导通电阻，支持多接口模式。
• ‌DRV8212P‌：280mΩ导通电阻，仅PWM接口。
• ‌DRV8220‌：4.5-18V宽压，1Ω导通电阻。

‌7. 文档结构‌

• 包含特性、引脚定义、电气参数、功能框图、应用示例及布局指南，提供完整的驱动配置与保护逻辑说明。