CGD与格芯（GlobalFoundries）合作供应单芯片、高可靠性和高效率的 ICeGaN® 功率器件

合作将支持快速增长的应用市场，共同推广 CGD 的可持续节能型 ICeGaN 技术

英国剑桥，2025 年 10 月 13 日 —— 无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD） 13日宣布与领先的半导体代工企业格芯（GlobalFoundries，简称 GF）达成合作伙伴关系。此次合作强化了 CGD 的无晶圆厂战略，拓展了其 ICeGaN® 功率器件的供应链。

CGD 的创新单芯片技术可与标准硅 MOSFET 驱动器兼容，并基于标准硅 CMOS 晶圆制造工艺。这意味着制造 GaN 晶圆无需专用工艺——通过利用 GF 的先进 8 英寸制造工艺，CGD 产品的制造成本将保持高度竞争力。

ICeGaN 的知识产权基于设计而非工艺，具备 “晶圆厂无关性”（fab agnostic），可轻松迁移至新的代工厂。此外，CGD 的设计流程建立在多年 GaN 技术经验之上，采用成熟的方法学，实现快速工艺移植。GF 通过对专有测试芯片特征数据应用先进的机器学习算法，持续优化模型，从而实现新产品的可靠、可预测性能，并确保及时交付。

这一能力实现了“设计一次成功”的目标，使 ICeGaN 功率器件能够更快推向市场，为 CGD 提供快速创新和灵活应对应用变化的能力。
 

CGD 首席运营官 Simon Stacey 表示：

“将 CGD 的设计流程与 GF 优秀的工艺设计套件（PDK）结合，是我们加速下一代 GaN 功率器件开发与量产的关键。我们非常高兴能与 GF 合作，他们在代工服务方面的专业实力及对 GaN 技术的投入，与我们的 ICeGaN 器件完美契合。”
 

GaN 技术优势与市场前景

氮化镓（GaN）技术具有独特优势：更高效率、更高功率密度、更小体积及更快开关速度。这些特性使电力电子设计师能够开发出更加可持续、节能的系统。结合无晶圆厂商业模式具有的灵活性，CGD 得以充分把握快速增长的市场需求。对 GaN 技术持续增长的需求见证了这一趋势。

ICeGaN 的独特之处在于：它将 GaN 开关、接口电路及保护电路集成于同一 GaN 芯片，而非像市面其他方案那样采用多芯片或共封装设计。CGD 的集成方案简化了驱动设计，使其可直接使用标准硅驱动器，并具备极高的可靠性。CGD 目前是全球唯一能够在标准驱动器上运行的单芯片 GaN 技术供应商，使新一代电源系统更高效、更具可扩展性。这让设计工程师们相信 GaN 技术在效率、尺寸及热性能方面均显著优于传统硅器件。

关于 Cambridge GaN Devices（CGD）

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家设计、开发并商业化 GaN 晶体管和集成电路的公司，致力于实现能效和紧凑性的新突破。我们的使命是通过提供易于使用的高效 GaN 解决方案，将创新带入日常生活。
CGD 的 ICeGaN® 技术已被验证适用于大规模量产，公司正通过完善的供应链与客户合作伙伴关系快速扩张。CGD 是一家无晶圆厂企业，源自剑桥大学，由首席执行官 Giorgia Longobardi 博士 和首席技术官 Florin Udrea 教授 创立，他们与剑桥大学著名的高压微电子与传感器研究组（HVMS）保持着紧密联系。

CGD 的 ICeGaN HEMT 技术受到强大且不断扩展的知识产权组合保护，体现了公司对创新的长期承诺。CGD 团队的技术与商业专长，加之在功率电子市场的丰富经验，是其专有技术获得市场认可的关键。