EVSPIN32G06Q2S1评估板深度解析与工程应用指南

描述

STMicroelectronics EVSPIN32G06Q2S1评估板是一款基于STSPIN32G0602控制器的三相完整逆变器,它嵌入了一个三相600V栅极驱动器和一个Cortex ^®^ -M0+ STM32 MCU。功率级包含STGB20M65DF2 IGBT,但可适配采用D2PAK或powerFLAT 8x8 HV封装的IGBT或功率MOSFET。该板支持单分流检测拓扑结构,可在有传感器或无传感器模式下支持FOC和6步控制算法。该拓扑结构和算法支持驱动永磁同步电机 (PMSM) 和无刷直流 (BLDC) 电机。

数据手册:*附件:STMicroelectronics EVSPIN32G06Q2S1 评估板数据手册.pdf

STMicro EVSPIN32G06Q2S1评估板兼容35V AC (50V DC )至280V AC (400V DC )宽输入电压范围。该板包括一个采用反激配置的VIPER06XS的电源级,可产生应用所需的+15V和+3.3V电源电压。

STLINK调试器可使用标准STM32工具对固件进行调试和配置。另外还可提供SWD和UART TX‑RX连接器。

特性

  • 输入电压范围:35VAC (50VDC) 至280VAC (400VDC)
  • 适用于约300W功率的应用,1.2ARMS 相位电流
  • STGB20M65DF2 IGBT功率级具有如下特性:
    • V~(BR)CES~ = 650V
    • VCE(sat) = 1.55V(当IC = 20A时)
  • 单分流电流检测,适用于:
    • 带传感器或无传感器6步算法
    • 有传感器或无传感器单分流矢量 (FOC) 算法
  • 过流阈值设置为8.3Apeak
  • IGBT/MOSFET封装的双封装外形:D^2^PAK或PowerFlat 8x8 HV
  • 智能关断过流保护
  • 数字霍尔传感器和编码器输入
  • 总线电压检测
  • 15V VCC 和3.3V VDD 电源
  • 通过STLINK-V3SET进行外部连接
  • 用户接口简单,带按钮和微调
  • 符合RoHS指令

功能块

三相

元器件布局

三相

EVSPIN32G06Q2S1评估板深度解析与工程应用指南

一、核心特性与硬件架构

  1. 高性能逆变器设计
    • 宽电压输入‌:支持35-280VAC(50-400VDC),适配300W级应用,相位电流1.2ARMS。
    • 功率器件‌:采用STGB20M65DF2 IGBT(V CES =650V,V CE(sat) =1.55V@20A),支持D2PAK/PowerFlat 8x8 HV双封装。
    • 控制算法‌:支持单电阻电流采样的FOC和6步控制,兼容PMSM/BLDC电机驱动。
  2. 集成化MCU方案
    • 内置STM32 Cortex®-M0+ MCU与600V栅极驱动器的STSPIN32G0602Q控制器,简化外围电路设计。
    • 提供数字霍尔传感器/编码器接口,支持有感/无感模式切换。
  3. 安全与扩展性
    • 集成过流保护(8.3A峰值阈值)、总线电压检测功能。
    • 通过STLINK-V3SET实现调试,支持SWD/UART/I2C多协议通信。

二、关键电路设计解析

  1. 电源管理模块
    • VIPER06XS反激拓扑生成+15V(栅极驱动)和+3.3V(MCU)电源,输入范围覆盖宽压需求。
    • 设计注意点‌:需确保AC/DC输入与USB接口的电气隔离(如使用USB隔离器)。
  2. 功率级布局优化
    • 单电阻电流检测拓扑需靠近IGBT布局,减少寄生电感影响(图1中R34/R103为0.1Ω/2W采样电阻)。
    • 栅极驱动电阻(如R1/R15=27Ω)需根据开关频率调整以抑制振铃。
  3. 反馈网络设计
    • BEMF检测电路(图2)采用180kΩ/1MΩ分压电阻(R4/R17等)和BC817-25三极管构建比较器,需注意PCB爬电距离。

三、典型应用场景与调试建议

  1. 应用领域
    • 工业驱动(压缩机/泵/风扇)、家电(空调/冰箱)、电动工具等。
  2. 上电调试流程
    • 安全操作‌:
      • 使用隔离示波器测量高压侧信号。
      • 上电前确认储能电容(如C44=150μF/420V)已放电。
    • 参数配置‌:
      • 通过JP2-JP4跳线选择BEMF检测模式,R23(100kΩ电位器)调节速度反馈。
  3. 常见问题排查
    • 过流误触发‌:检查U3(TS3021ILT)比较器基准电压与R60/R93(33kΩ)分压比例。
    • IGBT过热‌:优化散热设计(评估板布局见图6-8),确认栅极驱动电压≥15V。

四、扩展开发资源

  • BOM选型替代‌:表1列出关键器件备选方案(如STGB20M65DF2可替换为同规格IGBT)。
  • 参考设计‌:ST官网提供基于STSPIN32G0602的电机控制库(FOC算法源码)。
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