该DRV8876N是一款集成电机驱动器,具有N沟道H桥、电荷泵和保护电路。电荷泵通过支持 N 沟道 MOSFET 半桥和 100% 占空比驱动来提高效率。该器件系列采用引脚对引脚 R DS(开) 以最小的设计更改支持不同的负载。
低功耗睡眠模式通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护功能包括电源欠压锁定、电荷泵欠压、输出过流和器件过热。故障情况在 nFAULT 上指示。
*附件:drv8876n.pdf
特性
- N 沟道 H 桥电机驱动器
- 驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 其他电阻和电感负载
- 4.5V 至 37V 工作电源电压范围
- 高输出电流能力:3.5A 峰值
- 可选输入控制模式 (PMODE)
- PH/EN 和 PWM H 桥控制模式
- 独立的半桥控制模式
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 超低功耗睡眠模式
- <1μA @ V
虚拟机 = 24伏,T J = 25°C
- 用于低电磁干扰 (EMI) 的扩频时钟
- 集成保护功能
- 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
- 故障自动恢复
- 故障指示器引脚 (nFAULT)
参数

方框图

1. 核心特性
- 宽电压工作范围
- 4.5V至37V供电电压(VM引脚)
- 3.5A峰值输出电流(双向有刷直流电机驱动)
- 支持100%占空比驱动
- 灵活控制模式
- 三种输入控制模式(通过PMODE引脚选择):
- PH/EN模式:方向/使能控制
- PWM模式:独立PWM输入控制
- 独立半桥模式:驱动两个单向负载
- 兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入
- 高效能设计
- 集成N沟道H桥和电荷泵(支持高边N-MOSFET)
- 超低功耗睡眠模式(<1µA @ VM=24V)
- 扩频时钟降低EMI
- 全面保护功能
- 欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)
- 过流保护(OCP,可配置自动重试或锁存关闭)
- 热关断(TSD,160°C触发)
- 故障指示引脚(nFAULT)
2. 关键参数
- 电气特性
- 导通电阻:350mΩ(典型值,高/低边MOSFET @24V)
- 开关频率:最高100kHz
- 电荷泵输出电压:VM+5V(典型值)
- 热性能
- 结到环境热阻(RθJA):44.3°C/W(HTSSOP封装)
- 工作结温范围:-40°C至150°C
3. 典型应用
- 工业与消费电子
- 有刷直流电机(真空机器人、打印机、ATM机)
- 电磁阀/继电器驱动
- LED照明控制
- 汽车电子
4. 封装与引脚
- 封装:16引脚HTSSOP(带散热焊盘)
- 关键引脚功能:
- OUT1/OUT2:H桥输出(接电机)
- EN/IN1/PH/IN2:控制信号输入
- nSLEEP:低功耗模式使能
- VCP/CPH/CPL:电荷泵相关引脚
5. 设计要点
- 布局建议
- VM引脚需就近放置低ESR陶瓷电容(0.1µF)
- 散热焊盘需通过多过孔连接至PCB地平面
- 大电流路径(VM/OUTx/PGND)采用宽铜箔布线
- 保护配置
- IMODE引脚设置过流响应方式(接地=自动重试,悬空=锁存关闭)
- nFAULT引脚需外接上拉电阻(典型10kΩ)
6. 文档结构
- 功能描述:控制模式真值表、电荷泵工作原理
- 典型应用电路:双向电机驱动/双半桥配置示例
- 热性能数据:稳态与瞬态热阻曲线
- 寄存器映射(仅限I2C配置型号)