高功率密度65W氮化镓快充方案：仁懋MOS 1145G开启快充新纪元

在快充技术飞速发展的今天，65W功率档位已成为市场主流，而氮化镓技术的出现，正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145G MOSFET，以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入了全新动能。

突破性的性能表现

 

 

仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先进的沟槽工艺，具备100V耐压`和4.4mΩ的超低导通电阻，电流承载能力高达90A。这一突破性参数使其在同等规格产品中脱颖而出，为高功率密度设计提供了坚实保障。

赋能小型化设计

 

 

在65W氮化镓快充方案中，MOT1145G的卓越表现主要体现在：

 

 

极致效率：4.4mΩ的导通电阻大幅降低开关损耗，整机效率提升显著

 

 

出色散热：优化的热设计使器件在满载状态下仍能保持低温运行

 

 

空间节约：紧凑的封装尺寸完美契合高功率密度设计要求

 

技术优势凸显

 

 

与传统方案相比，基于MOT1145G的65W氮化镓快充方案实现了多重突破：

 

 

- 功率密度提升约40%，体积缩小至传统充电器的50%

 

 

- 系统效率达到94%以上，发热量显著降低

 

 

- 支持多种快充协议，兼容性广泛

 

 

市场应用前景

 

 

目前，该方案已实现大规模量产出货，广泛应用于：

 

 

- 多口氮化镓快充充电器

 

 

- 轻薄笔记本电源适配器

 

 

- 移动电源及车载充电设备

 

 

- 各类智能设备快充配件

仁懋电子凭借MOT1145G在氮化镓快充领域的成功布局，展现了其在功率半导体领域深厚的技术积累。未来，随着快充技术向更高功率、更小体积发展，仁懋将继续致力于技术创新，为消费者带来更高效、更便携的充电体验。