三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存开始量产，可使手机平板等移动设备更省电

根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。

据悉，三星电子今天宣布已开始批量生产业界首款第二代10纳米级（1y－nm）LPDDR4X DRAM，降低当今高端智能手机和其他移动应用的电池消耗。

与当前旗舰移动设备中最常用的移动DRAM内存芯片相比，第二代LPDDR4X DRAM的功耗降低了10％，同时保持了4266MHz的相同数据速率。

“10nm级移动DRAM的问世将为下一代旗舰移动设备提供显著增强的解决方案，这些移动设备将于今年晚些时候或2019年上半年首次上市。”内存销售高级副总裁Sewon Chun说道，“我们将继续发展我们的优质DRAM阵容，引领＇高性能，高容量，低功耗＇内存领域，以满足市场需求并增强我们的业务竞争力。”