‌DRV8304-Q1汽车级三相无刷直流电机控制器技术文档总结

描述

DRV8304 器件是一款集成栅极驱动器,适用于 12V 和 24V 直流电源轨的三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。这些应用包括 BLDC 电机的磁场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件集成了三个电流检测放大器 (CSA),用于检测 BLDC 电机的相电流,以实现最佳的 FOC 和电流控制系统实现。AUTOCAL 功能可自动校准 CSA 失调误差,以实现准确的电流检测。

该器件基于智能栅极驱动 (SGD) 架构,无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时完全保护外部 FET。SGD 架构优化死区时间以避免任何击穿情况,通过栅极压摆率控制灵活地降低电磁干扰 (EMI),并通过 V 防止任何栅极短路情况GS的握手和死区插入。强大的下拉电流还可以防止任何 dv/dt 栅极开启。
*附件:drv8304.pdf

支持各种PWM控制模式(1x、3x、6x和独立),可与可由30 mA、3.3 V内部稳压器供电的控制电路进行简单接口。这些模式减少了控制器的输出外设数量,以满足特定的电机控制要求,并提供了控制的灵活性。该器件还具有 1x 模式,可使用内部块换向表对 BLDC 电机进行传感梯形控制。该器件还可以配置为在独立模式下驱动多个负载,例如螺线管。

特性

  • 6V 至 38V、三重半桥栅极驱动器,集成 3 个电流检测放大器 (CSA)
    • 40V 绝对最大额定值
    • 针对 12V 和 24V 直流电源轨进行了全面优化
    • 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% PWM 占空比
  • 智能门控架构
    • 可调节压摆率控制,实现更好的 EMI 和 EMC 性能
    • VGS的握手和最小死区时间插入以避免击穿
    • 15mA 至 150mA 峰值源电流
    • 30mA 至 300mA 峰值灌电流
  • 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
    • 支持 120º 传感器作
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧倍增器电荷泵
    • 低侧线性稳压器
  • 集成三重电流分流放大器
    • 可调增益 (5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • SPI 或硬件设备变体
  • 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
  • 低功耗睡眠模式
  • 线性稳压器,3.3V,30mA
  • 集成保护功能
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • MOSFET VDS过流保护 (OCP)
    • MOSFET 击穿保护
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

参数

电流检测

方框图
电流检测

1. 核心特性

  • 电源与驱动
    • 工作电压(VM) ‌:6V至38V(40V绝对最大值)
    • 驱动能力‌:集成3个半桥栅极驱动器,支持100% PWM占空比
    • 栅极驱动电流‌:可调峰值源电流15-150mA,峰值灌电流30-300mA
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制优化EMI/EMC性能
    • 死区时间插入防止直通
    • 集成VDS监测和栅极故障保护
  • 集成功能
    • 3路电流检测放大器(CSA),增益可调(5/10/20/40 V/V)
    • 内置电荷泵(高压侧)和LDO(低压侧)栅极电源
    • 3.3V/30mA LDO稳压器(供外部控制器)
    • SPI或硬件接口配置选项

2. 关键参数

参数规格
逻辑输入电压兼容1.8V/3.3V/5V
‌**热阻(RθJA)**‌35.1°C/W(VQFN封装)
电荷泵输出电压VM + 10V(典型值)
睡眠模式电流20µA(典型值,25°C)
保护功能响应时间过流消隐时间4.5µs,重试时间4ms

3. 典型应用

  • 汽车电子‌:电动水泵、散热风扇
  • 工业设备‌:伺服驱动器、机器人关节
  • 消费电子‌:无人机电调、扫地机器人

4. 功能模式

  • PWM模式‌:支持6x/3x/1x及独立PWM控制
  • 硬件接口模式‌:通过电阻配置IDRIVE(栅极电流)、VDS(过流阈值)等
  • 保护模式‌:
    • 自动重试(过流/过热)
    • 锁存关闭(栅极故障)

5. 保护机制

  • 实时监测‌:通过nFAULT引脚反馈故障状态
  • 多重保护‌:
    • 电源欠压(UVLO <5.6V)
    • 电荷泵故障(CPUV <10.5V)
    • MOSFET VDS过流(0.15-1.8V可调)
    • 热关断(OTSD >170°C)

6. 设计要点

  • 外围电路‌:
    • VM引脚需0.1µF陶瓷电容+≥10µF电解电容
    • 电荷泵需22nF飞电容(CPH-CPL)和1µF储能电容(VCP-VM)
  • 布局建议‌:
    • 栅极驱动回路最小化
    • 散热焊盘需连接至PCB地平面
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