半导体分立器件测试系统的用途及如何选择合适的半导体分立器件测试系统

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半导体分立器件测试系统是用于评估二极管、晶体管、晶闸管等独立功能器件性能的专业设备。

一、核心功能

‌参数测试‌

‌静态参数‌：击穿电压（V(BR)）、漏电流（I(CES)）、导通电阻（RDS(on)）、阈值电压等‌。

‌动态参数‌：采用脉冲测试法（脉宽300μs-5ms）抑制温升，结合Kelvin四线法消除接触电阻误差‌。

‌I-V特性曲线生成‌：支持全自动百点曲线测试，耗时仅数秒‌。

‌高效智能化操作‌

单参数测试速度达0.5ms/参数，支持多设备并行处理‌。

自动校准、数据追溯及符合JEDEC/AEC-Q等国际标准。

二、技术特点

‌高精度‌：测试精度0.2%+2LSB，采用同轴线缆抗干扰设计。

‌适配性‌：支持TO系列、SOT/SMD表贴器件、光耦等多样化适配器。

‌安全保护‌：具备窗口式可编程电压/电流钳位保护功能。

三、应用场景

‌研发阶段‌：快速识别缺陷（如漏电、击穿电压不足），缩短迭代周期。

‌生产质量控制‌：通过自动化批量测试筛选不合格品，避免流入汽车电子、工业控制等高可靠性领域。

‌新兴技术适配‌：支撑SiC/GaN宽禁带器件的高频高压测试需求。

四、行业趋势

‌国产化替代‌：随着Chiplet等先进封装技术发展，国产测试系统（SC2010）逐步替代进口。

‌智能化升级‌：结合探针台和分选机实现大规模生产线自动测试，效率可达5000只/小时。

 

西安中昊芯测SC2010

如何选择适合的半导体分立器件测试系统？

选择半导体分立器件测试系统需综合考虑技术参数、应用场景及成本效益，以下是关键决策要素：

一、核心参数匹配

‌电压/电流范围‌

功率器件测试需支持高压（2000V-5000V）和大电流（200A-500A），而常规器件测试系统通常覆盖较低范围（如±200V/10A）‌。

宽禁带器件（SiC/GaN）需适配更高电压和脉冲测试（脉宽300μs-5ms）以抑制温升。

‌测试精度与速度‌

静态参数测试精度需达0.2%+2LSB，动态参数测试速度建议≤0.5ms/参数‌。

支持四线法（Kelvin连接）消除接触电阻误差，并集成SMU（源表）实现多参数同步测量

二、功能需求适配

‌测试类型‌

‌直流测试‌：验证击穿电压（VBR）、漏电流（ICEO）、导通电阻（RDS(on)）等‌。

‌脉冲测试‌：用于大电流参数（如hFE、饱和压降）测量，避免器件过热。

‌I-V/C-V曲线‌：需支持快速生成（百点曲线/秒）及数字化分析‌。

‌自动化与兼容性‌

优先选择支持多设备并行处理、符合JEDEC/AEC-Q标准的系统‌
。

适配多样化封装（TO系列、SMD等）及新兴器件（如光耦、射频器件）‌。

三、经济性与扩展性

‌成本效益‌

国产系统（如SC2010）在性价比上已接近进口设备，且支持定制化需求‌。

自动化系统可提升测试效率，降低长期人力成本‌。

‌未来扩展‌

选择支持模块化升级的系统，以适应SiC/GaN等宽禁带器件的测试需求‌。

确保软件可更新，兼容新兴行业标准。

​审核编辑 黄宇