聚焦离子束(FIB)技术:原理、应用与制样全解析

描述

在微观世界的探索中,科学家们需要极其精密的工具来观察和分析材料的内部结构与成分。聚焦离子束(FIB)技术就是这样一把打开微观世界大门的钥匙,它通过将离子束聚焦到纳米尺度,实现对材料的精确加工和分析。

 

原理与简介


 

聚焦离子束系统利用电透镜将离子束聚焦成非常小的尺寸,目前商用系统通常采用液相金属离子源(LMIS),其金属材质为镓(Ga)。为什么选择镓呢?这是因为它具有低熔点、低蒸气压和良好的抗氧化能力,这些特性使得镓成为理想的离子源材料。在外加电场作用下,液态镓形成泰勒锥,并在强电场牵引下发射镓离子。通过静电透镜聚焦,可获得束斑尺寸为2–3纳米的离子束。操作人员可通过调节孔径控制束流尺寸,实现对样品表面的定点加工。离子束与样品相互作用时,通过物理溅射机制实现材料的剥离、注入、沉积或改性,从而完成包括截面制备、透射电镜(TEM)样品制备、电路修补等在内的多种纳米操作。

 

技术优势

 

1.操作简便与样品兼容性高相比其他样品制备技术,FIB的操作流程更为简单,前处理步骤较少。

这不仅提高了工作效率,更重要的是减少了对样品的潜在污染和损害。对于珍贵或难以获得的样品,这一优势尤为明显。

 

2.精准加工能力FIB技术最突出的优势在于能够实现定点微纳尺度的精准切割。

操作者可以精确控制加工尺寸,获得厚度均匀的样品。这种精准度使得FIB制备的样品适用于多种显微学和显微谱学分析,为材料研究提供了可靠的技术支持。

3.多功能一体化

现代FIB系统通常集成扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)等模块,支持原位加工、成像与成分分析,实现“样品制备—观察—分析”一体化流程,避免样品转移带来的误差与损伤。

样品要求
 

1.样品大小5×5×1cm,当样品过大需切割取样;

2.样品需导电,不导电样品必须能喷金增加导电性;

3.切割深度必须小于10微米。

 

常见问题解答


 

1.样品穿孔或部分脱落的影响

在FIB加工中,特定区域出现穿孔或局部脱落属于正常现象,尤其对于非均质或脆性材料。只要保留足够薄区并满足TEM观测需求,不影响最终分析效果。部分制样方法(如离子减薄)甚至有意制造孔洞以便于观测。

2.制样注意事项

FIB制样需要考虑多个因素,金鉴实验室在进行试验时,严格遵循相关标准操作,确保每一个测试环节都精准无误地符合标准要求。

确认样品成分与导电性,非导电样品需预先镀膜;

明确制样目的:是用于SEM截面观察还是TEM分析,不同类型的TEM分析对样品厚度有不同要求对厚度有严格要求;

确定切割位置,建议结合SEM图像精确定位;

样品是否耐受高电压(通常为30 kV);

表面平整度:抛光处理有助于提高加工精度。


 

3.导电性要求的必要性

FIB制样过程中,样品处于扫描电镜环境下观察,需要清晰可见的样品形貌以确保精确制样。如果样品导电性不足,会导致电荷积累,影响观察效果和加工精度。

FIB的应用范围


 

FIB技术主要应用于以下两类场景:

FIB-SEM:用于制备微米级截面样品,配合SEM观察与EDS成分分析,适用于尺度在2–30 μm的样品,切面直径一般不超过10 μm。为了方便大家对材料进行深入的失效分析及研究,金鉴实验室具备Dual Beam FIB-SEM业务,包括透射电镜(TEM)样品制备,材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。

FIB-TEM:制备适用于透射电镜观测的极薄样品,适用于块体、薄膜及微米级颗粒样品,涵盖陶瓷、金属、高分子等多种材料体系。

可能引入的杂质


 

在FIB加工中,可能引入以下外来元素:

铂(Pt):来源于电子束或离子束诱导沉积的保护层;

镓(Ga):源于离子源,可能注入样品表层;

金(Au)或铬(Cr):在对非导电样品进行喷金/喷碳处理时引入。

在进行成分分析时,需注意识别并排除上述杂质元素的干扰。金鉴实验室在数据分析环节将系统评估此类影响,并提供专业解读。

 

结语


 

聚焦离子束技术作为纳米科学与材料分析中的重要工具,以其高精度加工、多功能集成等优势,极大地推动了微观结构研究的发展。随着FIB-SEM双束系统、三维重构等技术的不断进步,其在半导体失效分析、先进材料研发、生物显微等领域的应用将进一步深化。

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