技术指标比肩国际！中欣晶圆加速国产替代，月销超百万片

 
电子发烧友网报道（文/莫婷婷）市场调研机构集邦咨询的数据显示，2023年全球氮化镓功率元件市场规模约为2.71亿美元，到2030年或将达到43.76亿美元，年复合增速高达49%。在市场增长的同时，国内氮化镓硅片企业也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圆宣布公司8英寸氮化镓外延制备用重掺硼超厚抛光硅片打破进口依赖，填补了国内相关技术空白。
 
中欣晶圆主营业务为半导体硅片的研发，在产品布局方面，已具备4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸抛光片以及12英寸外延片产品研发，构建了完整的硅片技术储备体系。
 
中欣晶圆市场部长周笛在2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）演讲中指出，当前硅片行业依旧由大尺寸硅片主导，例如12英寸硅片出货面积占比超过8成，且市场需求持续在增长。不同尺寸硅片在技术节点、应用领域和产能状态上各有侧重，共同推动着半导体产业链的持续升级。
 
其中12英寸晶圆聚焦于成熟及先进制程，深度渗透至手机处理器、高性能计算机、FPGA、ASIC、存储、射频、蓝牙、GPS导航等前沿领域，正处于关键节点突破的阶段。8英寸晶圆则在硅片市场形成差异化竞争，主要用于成熟制程与特种制程，广泛应用于存储计算、边缘计算、物联网、功率器件等领域，当前亦处于产能扩张阶段，精准适配新兴场景的定制化需求。而4-6英寸小直径晶圆凭借稳定的量产能力，在SOI、GaN、MOSFET、IGBT等细分领域持续发力，全球产能保持平稳。
 
在氮化镓硅片领域，技术创新是中欣晶圆的核心竞争力。公司自主开发了多项关键技术，包括：自主研创的超厚硅片制造技术，实现硅片厚度的精准控制；独特的定位分段式涂膜工艺技术，有效提升膜层均匀性；自主创新的金属Cu（铜）控制技术；优异的硅片曲度控制技术，保障大尺寸硅片的平面度；以及凸出的抛光片面粗糙度控制技术，提升表面洁净度与一致性。
 
 
在国际氮化钾应用领域中，各项关键技术指标对硅片质量具有直接影响——其核心参数严格规定了硅片的平整度、曲率、背面厚度、整体厚度及颗粒度等关键特性。中欣晶圆建立了统一的技术规范体系，通过优化加工工艺，成功实现了优质超厚抛光硅片的稳定生产。
 
周笛表示，中欣晶圆的产品相较进口产品，具有抛光精度优异、表面状态更洁净、硅片厚度及均一性、电阻率均匀性突出等优势。在电阻率均匀性方面，中欣晶圆产品的中心值为0.007152欧厘米，竞品为0.000845欧厘米。
 
中欣晶圆的创新不仅填补了国内高端硅片的技术空白，也使中欣晶圆的产品具备替代进口的能力，技术水平达到国内领先水平。今年5月30日，中欣晶圆官方宣布，公司所有产品合计月销售量首次突破100万片。
 
就在今年9月，中欣晶圆在高端衬底材料领域也迎来进展，其自主研发的“8英寸氮化镓外延制备用重掺硼超厚抛光硅片”凭借多项核心工艺创新打破进口依赖。中欣晶圆介绍，该产品基于超厚硅片制造、低表面粗糙度控制、金属Cu控制、硅片平整度与曲度控制、分段式涂蜡工艺、特殊硅片背面薄膜生长以及抛光面颗粒控制等关键技术，全面满足客户在外延制备中的高性能需求。