‌DRV8833C 双H桥电机驱动器技术文档总结‌

该DRV8833C为玩具、打印机和其他设备提供双桥电机驱动器解决方案 机电一体化应用。

该器件有两个 H 桥，可以驱动两个直流有刷电机，一个双极步进器 电机、电磁阀或其他感性负载。
*附件：drv8833c.pdf

每个H桥输出由一对N沟道和P沟道MOSFET组成，具有 调节绕组电流的电路。通过正确的 PCB 设计，DRV8833C的每个 H 桥 可在 25°C 下连续驱动高达 700 mA RMS（或直流电），电压M供应 5 五。该器件可支持每个电桥高达 1 A 的峰值电流。电流能力降低 略低的 VM电压。

内部关断功能带有故障输出引脚，用于过流 保护、短路保护、UVLO 和过热。低功耗睡眠模式也是 提供。

特性

• 带电流控制的双 H 桥电机驱动器
  • 1 或 2 个直流电机或 1 个步进电机
  • 低导通电阻：HS + LS = 1735 mΩ
    （典型值，25°C）
• 输出电流能力（在 V M = 5 V，25°C）
  • PWP （HTSSOP） 封装
    • 0.7A RMS，每个 H 桥 1A 峰值
    • 并联模式下的 1.4A RMS
  • RTE（QFN）封装
    • 0.6A RMS，每个 H 桥 1A 峰值
    • 并联模式下的 1.2A RMS
• 宽电源电压范围
  • 2.7 至 10.8 V
• 集成电流调节
• 简单的脉宽调制 （PWM） 接口
• 1.6μA低电流睡眠模式（5 V时）
• 小封装和封装
  • 16 HTSSOP （PowerPAD™） 5.00 × 6.40 毫米
  • 16 QFN （PowerPAD） 3.00 × 3.00 毫米
• 保护功能
  • VM欠压锁定 （UVLO）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （TSD）
  • 故障指示引脚 （nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌驱动架构‌：集成双H桥，支持单/双有刷直流电机或步进电机驱动，工作电压范围2.7-10.8V，典型导通电阻（HS+LS）1735 mΩ（25°C）。
• ‌电流能力‌：
  • HTSSOP封装：单桥0.7A RMS/1A峰值，并联模式1.4A RMS（5V/25°C）。
  • QFN封装：单桥0.6A RMS/1A峰值，并联模式1.2A RMS。
• ‌控制接口‌：PWM控制，集成20μs固定关断时间的电流调节。
• ‌低功耗模式‌：睡眠模式电流仅1.6μA（5V）。
• ‌保护机制‌：
  • 欠压锁定（UVLO，阈值2.6V）
  • 过流保护（OCP，1A阈值）
  • 热关断（TSD，150°C触发）
  • 故障指示引脚（nFAULT）。

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‌2. 关键功能‌

• ‌电流调节‌：
  • 通过外部检测电阻（xISEN）设置斩波电流，公式：
    ICHOP=200 mVRISENICHOP ​ =RISEN​200mV​
  • 支持慢衰减模式（固定20μs关断时间）。
• ‌并联模式‌：双H桥并联可实现电流翻倍。
• ‌工作模式‌：
  • ‌运行模式‌：nSLEEP=1，全功能启用。
  • ‌睡眠模式‌：nSLEEP=0，功耗降至1.6μA。

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‌3. 典型应用‌

• ‌适用场景‌：POS打印机、安防摄像头、机器人、电池供电玩具等。
• ‌优势‌：
  • 宽电压范围（2.7-10.8V）适配电池供电场景。
  • 小封装选项（HTSSOP 5×6.4mm/QFN 3×3mm）。
  • 内置电流检测与保护功能简化设计。

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‌4. 设计要点‌

• ‌布局建议‌：
  • VM引脚需就近放置10μF陶瓷电容（耐压≥VM）。
  • VINT引脚连接2.2μF/6.3V电容。
  • 散热焊盘（PowerPAD）必须接地。
• ‌关键参数‌：
  • 检测电阻（RISEN）选择：例如目标电流200mA需1Ω电阻。
  • 输入逻辑电平：低电平≤0.7V，高电平≥2.5V。

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‌5. 封装与保护‌

• ‌封装选项‌：
  • HTSSOP-16（带散热焊盘）
  • QFN-16（3×3mm超小尺寸）
• ‌保护特性‌：
  • OCP故障后自动重试（1.4ms周期）。
  • 热关断后需温度下降20°C恢复。

‌总结‌：DRV8833C是一款针对低电压、小尺寸应用优化的双H桥驱动器，适合需要精确电流控制的中低功率电机系统，尤其注重功耗与空间约束的场景。