该DRV8860提供具有过流保护的 8 通道低侧驱动器和 开路/短路负载检测。它具有内置二极管,可钳位由 感性负载,可用于驱动单极步进电机、直流电机、继电器、螺线管或 其他负载。
PWP 封装可× 8 通道提供高达 330 mA 的电流,PW 封装可提供高达 200 mA × 8 通道连续输出电流。单个通道可提供高达 560 mA 的连续电流 输出电流。
*附件:drv8860.pdf
提供串行接口来控制DRV8860输出驱动器,配置内部 设置寄存器并读取每个通道的故障状态。DRV8860器件可以菊花链连接 一起使用单个串行接口。通电时间和保持PWM占空比为 也可通过串行接口进行配置。这些功能允许比 始终在线的解决方案。
提供内部关断功能,用于过流保护、短路 保护、欠压锁定和过热。DRV8860A不包括开路负载 检波。每个通道的故障信息可以通过串行接口读取,并且 由外部故障引脚指示。
特性
- 8通道保护低侧驱动器
- 8个具有过流保护功能的NMOS FET
- 集成电感式捕获二极管
- 串行接口
- 开路/短路负载检测(仅限DRV8860)
- 可配置的 100% 输出时序
- 可配置的PWM占空比
- 连续电流驱动能力
- 560 mA(单通道导通)PW 和 PWP
- 200 mA(8 通道开启)PW
- 330 mA(8 通道开启)PWP
- 支持并行配置
- 8 V 至 38 V 电源电压范围
- 用于抗噪性的输入数字噪声滤波器
- 内部数据回读功能,实现可靠
控制 - 保护和诊断功能
- 过流保护 (OCP)
- 开路负载检测 (OL)
- 过温关断 (OTS)
- 欠压锁定 (UVLO)
- 单个渠道状态报告
- 故障状态报警
参数

方框图

1. 核心特性
- 驱动能力:
- 8通道NMOS FET低侧驱动,集成过流保护(OCP)和开/短路负载检测(仅DRV8860)。
- 支持连续输出电流:单通道560 mA(最大),8通道并行时200 mA(PW封装)或330 mA(PWP封装)。
- 工作电压范围:8V至38V,内置电感续流二极管。
- 控制接口:
- 串行接口(SPI兼容)支持多设备级联,可配置PWM占空比(12.5%
87.5%)和输出激励时间(0300ms)。
- 保护功能:
- 过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、过温关断(OTS,160°C警告/175°C关断)。
- 故障状态通过nFAULT引脚和寄存器回读反馈。
2. 关键模块
- 输出级:
- 低侧MOSFET导通电阻典型值1.5Ω(24V/150mA条件),支持PWM斩波控制。
- 内置自由轮二极管(正向压降0.9V@150mA)。
- 诊断功能:
- 开负载检测(OL)电流30µA,阈值电压1.2V(仅DRV8860)。
- 每通道独立故障状态寄存器(OCP/OL标志位)。
- 热管理:
- PWP封装(HTSSOP-16)带PowerPAD™,热阻θJA=40.9°C/W,需通过PCB散热设计优化。
3. 典型应用
- 场景:
- 继电器/螺线管驱动、单极步进电机控制、LED调光(DRV8860A)。
- 设计要点:
- 电源设计:VM需并联10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容,nFAULT引脚需4.7kΩ上拉电阻。
- 布局建议:PowerPAD必须焊接至PCB地平面,信号线远离高电流路径。
- 电流计算:示例中单通道150mA RMS电流下功耗约0.34W(RDS(on)=1.5Ω),温升约14°C(θJA=40.9°C/W)。
4. 电气参数
- 绝对最大值:
- VM耐压40V,逻辑输入电压-0.3V至7V,结温范围-40°C至150°C。
- 动态特性:
- 过流消隐时间2μs(最小值),PWM频率范围12.5kHz~50kHz(取决于占空比)。
- 时序要求:
- 串行时钟周期≥5μs,数据建立/保持时间≥1μs。
5. 封装与配置
- 封装选项:
- TSSOP-16(PW,5mm×6.4mm)或HTSSOP-16(PWP,5mm×4.4mm,带散热焊盘)。
- 寄存器配置:
- 数据寄存器(8位):直接控制输出通道开关。
- 控制寄存器(8位):配置PWM占空比(C7)和激励时间(C4)。
- 故障寄存器(16位):读取OCP/OL状态(F16)。
总结:DRV8860x系列是高集成度多通道低侧驱动器,适用于需精确时序控制和故障诊断的工业/消费电子应用,其串行接口和可编程PWM特性显著降低系统功耗与热负荷。