STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在逆变器性能和效率之间实现了完美平衡,具有低功耗和短路保护特性。正VCE(sat) 温度系数和一致的参数分布增强了安全并联操作。
数据手册:*附件:STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT数据手册.pdf
特性
- 符合 AEC-Q101
- 最高结温:T
J = +175°C - 最短短路耐受时间:6μs
- V
CE(sat) = 1.6V(典型值,IC = 30A时) - 参数分布紧密
- 并联工作更安全
- 低热阻
- HU3PAK卷带封装
- 快速软恢复反向并联二极管
- 由于额外的驱动开尔文引脚,因此具有出色的开关性能
电路图

STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT技术解析与应用
产品概述
STGHU30M65DF2AG是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款汽车级沟槽栅场截止型(Trench Gate Field-Stop)650V/30A低损耗M系列IGBT,采用HU3PAK封装。该器件已通过AEC-Q101认证,最大结温可达175°C,具有6μs的短路耐受时间和优异的开关性能。
主要特性:
- 典型VCE(sat)仅为1.6V @ IC=30A
- 正温度系数的VCE(sat)特性,便于并联使用
- 低热阻设计
- 内置软且快速恢复的反并联二极管
- 通过额外的开尔文驱动引脚实现卓越的开关性能
电气特性分析
关键参数指标
绝对最大额定值:
- 集电极-发射极电压(VCES):650V
- 25°C下连续集电极电流(IC):84A
- 100°C下连续集电极电流(IC):57A
- 脉冲集电极电流(ICP):120A
- 工作结温范围(TJ):-55至175°C
热特性:
- IGBT结到壳热阻(RthJC):0.34°C/W
- 二极管结到壳热阻(RthJC):0.82°C/W
开关特性
IGBT开关参数(@ VCE=400V, IC=30A, VGE=15V, RG=10Ω):
- 开通延迟时间(td(on)):22ns(典型值)
- 关断延迟时间(td(off)):151ns(典型值)
- 开通能量(Eon):210μJ(典型值)
- 关断能量(Eoff):1147μJ(典型值)
二极管反向恢复特性(@ IF=30A, VR=400V):
- 反向恢复时间(trr):223ns(典型值)
- 反向恢复电荷(Qrr):1.207μC(典型值)
- 反向恢复电流(Irrm):16A(典型值)
应用设计考虑
热管理建议
从数据手册的热阻曲线可以看出:
- 在TC=25°C时,最大功耗可达441W
- 随着壳温升高,允许功耗线性下降
- 175°C结温时,连续集电极电流降至57A
设计散热系统时需考虑最恶劣工况下的热积累,建议:
- 使用高热导率界面材料
- 确保散热器与封装底部良好接触
- 监控运行温度,必要时降额使用
驱动电路设计
该IGBT采用开尔文驱动引脚设计,可显著减少栅极回路寄生电感的影响。建议:
- 驱动电压VGE推荐15V
- 栅极电阻RG影响开关速度和损耗,需权衡选择
- 典型应用中RG=10Ω可平衡开关损耗和EMI
并联应用注意事项
由于具有:
使STGHU30M65DF2AG非常适合并联应用,但仍需注意:
- 确保各并联器件对称布局
- 使用独立的栅极驱动电阻
- 监测各器件电流均衡性
典型应用领域
- 汽车电机控制
- 工业应用
- 能源转换