在电力电子技术飞速发展的当下,SiC(碳化硅)功率器件凭借高频、高效、耐高温的核心优势,在新能源汽车、储能系统、工业变频等高端领域加速替代传统硅基器件,不仅提升了系统的功率密度和能效,还降低了损耗,引领着电力电子技术的革新。作为 SiC 器件的“控制中枢”,驱动芯片的性能直接决定着整个功率系统的稳定性与能效。
数明半导体的 SiC 功率器件驱动器系列,提供了从低功率到高功率、从非隔离到隔离的全面解决方案。近期,还特别针对SiC器件特性进行优化,通过高 UVLO 系列隔离门极驱动器进一步扩展产品线,以满足不同SiC应用场景对电源稳定性和可靠性的严格要求,成功解锁 SiC 器件于工业电源中的高效性能。
数明半导体SiC驱动产品与应用概览
隔离驱动
01简单易用单通道隔离驱动
代表型号:SiLM5350
主要特性:
驱动电压:30V
驱动电流:10A
集成米勒钳位(抑制开关尖峰)
多种UVLO选型,支持MOSFET, IGBT和SiC MOSFET
共模瞬态抗扰度(CMTI):>150kV/μs
目标应用领域:
充电桩、光伏逆变器、储能系统、工业电源等
02高功率、高安全需求隔离单通道驱动
代表型号:SiLM5992SH、SiLM5991SH和SiLM5932SHO
主要特性:
驱动电压:30V
驱动电流:12A
保护功能:米勒钳位、退饱和保护、开通关断管脚分离(SiLM5992SH 和 SiLM5932SHO)
优势:独立引脚设计将源/灌电流引脚独立,可针对不同栅极电荷的 SiC MOSFET 进行灵活匹配,从而优化驱动效率,减少能量损耗。
ASC机制(SiLM5932SHO):检测到故障后强制 MOSFET 开通,防止系统过压。
共模瞬态抗扰度:CMTI >150kV/μs
通过 AEC-Q100 车规认证
目标应用领域:
电动汽车主逆变器、光伏逆变器、储能系统等
03中低功率隔离单通道驱动
代表型号:SiLM5852SH、SiLM5851NH
主要特性:
驱动电压:30V
驱动电流:3A(源电流)/6A(灌电流)
保护功能:米勒钳位、退饱和保护
宽温工作范围:-40℃~125℃
目标应用领域:
工业电机驱动、电源转换、感应加热等
04带米勒钳位双通道隔离驱动
代表型号:SiLM8260A
主要特性:
驱动电压:30V
驱动电流:10A(源电流)/10A(灌电流)
支持多 UVLO 阈值选项:18.9V, 17.7V, 16.5V, 15.3V, 12.5V, 8.5V, 5.5V 和 3.5V
集成米勒钳位
CMTI:>150kV/μs
通过 AEC-Q100 车规认证
目标应用领域:
车载充电器(OBC)、车载空调压缩机、充电桩模块、光伏逆变器、储能系统等
非隔离驱动
01非隔离30V/5A单通道低边驱动
代表型号:SiLM27531H
主要特性:
驱动电压:30V
驱动电流:5A(源电流) / 5A(灌电流)
UVLO 保护:上升 12.5V, 下降 11.5V
输入管脚耐受 -5V 输入,避免电源波动或接地反弹导致的器件损坏
小封装:SOT23-6
目标应用领域:
车载 PTC、MPPT 模块、OBC 等
02非隔离 20V/4A 单通道低边驱动
代表型号:SiLM27511H、SiLM27517H
主要特性:
驱动电压:20V
驱动电流:4A(源电流)和5A(灌电流)
UVLO 保护:上升 12.5V, 下降 11.5V
封装:SiLM27517H 支持 SOT23-5, SiLM27511H 支持 SOT23-6/SOP14
目标应用领域:
PTC、空调、微逆等
数明半导体产品在 SiC 应用的优势
一、高可靠性设计解决 SiC 应用痛点
数明全系列 SiC 驱动芯片均以“高可靠性”为设计核心。共模瞬态抗扰度(CMTI)>150kV/μs,该性能可确保在高压、高频工况下信号不受干扰,维持系统稳定;米勒钳位功能有效抑制栅极寄生电容引发的米勒效应,减少误触发风险;Desat 保护快速响应过流故障,防止器件损坏。这些特性解决了 SiC 器件在高频开关过程中易出现的误触发、过压、过流等痛点,有效提升系统整体可靠性。
二、广泛应用助力高效节能与稳定可靠
目前,数明半导体 SiC 功率器件驱动系列已广泛应用于新能源汽车、储能变流器(PCS)、工业伺服驱动器等领域。在新能源汽车领域,满足车载充电机、电机控制器等核心部件对驱动芯片的高要求;在储能变流器中,保障系统高效稳定运行,提升效率;在工业伺服驱动器方面,实现精准控制。无论是基础驱动还是高阶防护,车规场景还是工业领域,数明半导体都能以针对性的产品矩阵与技术创新,为 SiC 功率器件的应用提供 “一站式驱动解决方案”。
未来,随着 SiC 技术的进一步普及,数明半导体将持续深耕驱动芯片领域,不断推出性能更优、可靠性更高的产品,助力电力电子行业迈向高效、可靠、节能的新阶段。
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