STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板基于STSPIN32G4和STDRIVE101,用于使用两个三相无刷电机的应用。STSPIN32G4采用系统级封装,集成到9mm x 9mm VFQFPN封装,三重高性能半桥栅极驱动器(具有丰富的可编程特性)和一个混合信号STM32G431微控制器中。STDRIVE101是一款三半桥栅极驱动器,采用紧凑型4mm x 4mm VFQPN封装,具有600mA电流能力和嵌入式保护功能。
数据手册:*附件:STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板数据手册.pdf
两个功率级MOSFET基于STL110N10F7功率,可同时运行高达10Arm输出电流和74V电源。该特性提供专用温度和总线电压监控、功率MOSFET漏源电压检测和过流保护等功能。得益于霍尔传感器、正交编码器或带SSI通信接口的绝对编码器之间每个电机专用输入,该板可利用STSPIN32G4内的运算放大器以及基于传感器的控制算法实现无传感器运行。
得益于集成的稳压器,栅极驱动器和控制逻辑电源均可从电机电源开始生成,无需专用电路。CAN总线的预处理使STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL能够轻松连接主模块或从模块,并构建复杂的运动控制系统。
特性
- STSPIN32G4高性能三相电机控制器,带嵌入式MCU
- 32位Arm® Cortex®-M4 MCU+FPU
- 时钟频率高达170MHz
- CORDIC数学硬件加速器,用于三角函数
- 128kB闪存,具有专有代码读出保护 (PCROP)、安全存储区、1KB OTP
- 32KB SRAM存储器,带硬件奇偶校验
- 2个高级定时器,用于电机控制,16位,具有多达6个PWM通道
- 2个ADC,12位分辨率(多达19个通道),转换速率为4Msps
- 4个超快轨到轨比较器
- 3个轨到轨运算放大器,也可在PGA模式下使用
- 内部高精度电压基准
- VCC降压转换器,电流高达200mA,具有可编程输出和嵌入式MOSFET
- 3.3V LDO线性稳压器,电流高达150mA
- 低静态线性稳压器,用于待机模式下MCU电源
- 具有一整套保护功能的稳压器;包括热关断、短路和过载保护
- 75V额定栅极驱动器,具有1A灌/拉电流和嵌入式自举二极管
- 每个功率MOSFET的漏源电压检测
- STDRIVE 101三半桥栅极驱动器:
- 75V额定栅极驱动器,具有600mA灌/拉电流和嵌入式自举二极管
- 两种输入策略:ENx/INx(可调节死区生成)或INHx/INLx(联锁)
- 超短传播延迟:40ns(通道间匹配)
- 12V LDO线性稳压器,电流高达50mA
- 每个功率MOSFET的漏源电压检测
- 过流比较器
- UVLO和热关断保护
- 待机模式,实现低电流消耗运行
- 两个功率级,基于STL110N10F7功率MOSFET,输出电流高达10Arms,在过流条件下提供保护
- 独立总线电压范围为10V至74V,具有专用监控功能
- 使用嵌入式运算放大器进行单分流差分电流检测
- 两款电机均可提供用于速度/位置反馈输入:
- 全套通信接口(I^2^C、SPI和UART)
- CAN总线预处理
- NTC传感器,用于功率级温度监控
示意图

EVSPIN32G4-DUAL双电机驱动演示板技术解析
一、核心特性与硬件架构
1. 高性能电机控制系统
- 主控制器:采用STSPIN32G4系统级封装,集成32位Arm Cortex-M4内核MCU(最高170 MHz)、128 KB闪存、32 KB SRAM,支持硬件三角函数加速(CORDIC)
- 功率级:两路独立半桥基于STL110N10F7功率MOSFET,每路持续输出电流10 Arms,峰值电流17 A,工作电压范围10 V至74 V
- 专用驱动器:STDRIVE101三路半桥门级驱动器,支持600 mA灌/拉电流,集成自举二极管与40 ns级传播延迟
2. 完善的保护与传感机制
- 电流检测:通过板载运算放大器实现单分流电阻差分电流采样
- 多重保护:过流保护、电压监测(每个MOSFET的漏源电压)、热关断、欠压锁定(UVLO)
- 位置反馈兼容性:支持霍尔传感器、增量编码器、绝对编码器(SSI接口)
3. 灵活供电与通信接口
- 内置电源管理:集成Buck转换器(200 mA)、3.3 V LDO(150 mA),可直接从电机电源生成逻辑供电
- 通信接口:I²C、SPI、UART,预留CAN总线接口便于构建多节点运动控制系统
二、典型应用场景
- 工业自动化:伺服驱动器、机械臂关节控制
- 家用电器:真空机器人、烘干机、水泵
- 无人机与模型:双无刷电机同步调速
- 电动工具:高扭矩电钻、园林设备
三、设计要点与性能优化
1. 散热管理策略
- 功率级在25°C环境温度下可满载运行,实际输出需结合散热设计
- MOSFET的导通电阻(RDS(ON))低至5 mΩ,显著降低开关损耗
2. 传感器融合设计
- 同时支持无传感器控制(通过反电动势估算)与多类型位置传感器
- 板载NTC温度传感器实时监控功率级工况
4. 系统扩展性
- 通过CAN总线实现主从模块协作,适合复杂运动控制网络
- 预留编码器接口与PWM通道,便于集成第三方传感器
四、技术趋势与创新价值
EVSPIN32G4-DUAL体现了电机驱动技术向高度集成化与智能化的发展方向:
- 单芯片解决方案:STSPIN32G4将MCU、门驱动器、电源管理集成于9x9 mm封装,大幅缩小PCB面积
- 功能安全设计:硬件级保护机制满足工业设备可靠性要求
- 开源生态支持:基于STM32G4的软件库加速算法开发