STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板设计用于评估STGAP2GS隔离式单通道栅极驱动器。STGAP2GS具有2A拉电流/3A灌电流能力和轨到轨输出。凭借这些特性,该器件非常适用于中等和大功率逆变器应用。该器件通过使用专用栅极电阻器分别优化导通和关断。
数据手册:*附件:STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板数据手册.pdf
特性
- 设备
- 高压轨最高达1200V
- 驱动器电流能力:2A/3A拉电流/灌电流(+25°C,VH = 6V时)
- 独立灌电流和拉电流,可简化栅极驱动配置
- 输入-输出传播延迟:45ns
- UVLO功能,针对GaN进行优化
- 栅极驱动电压:高达15V
- TTL/CMOS输入:3.3V、5V,带迟滞
- 温度关断保护
- 电路板
- 半桥式配置,高压轨最高达650V
- SGT120R65AL具有650V、75mΩ(典型值)、15A、e-mode PowerGaN晶体管
- 负栅极驱动
- 板载隔离式直流-直流转换器,为高侧和低侧栅极驱动器供电,由VAUX = 5V馈电,最大隔离度为5.2kV
- VDD逻辑由板载3.3V或VAUX = 5V提供
- 可轻松选择跳线以驱动电压配置:+6V/0V、+6V/-3V
元件布置俯视图

STGAP2GS隔离门极驱动评估板技术解析与应用指南
一、产品概述
EVSTGAP2GS是意法半导体推出的半桥评估板,专为评估STGAP2GS隔离单门极驱动器而设计。该板采用SGT120R65AL增强型GaN晶体管,具有650V耐压、75mΩ典型导通电阻和15A电流能力。评估板最高支持650V高压总线,集成了隔离DC-DC转换器,提供完整的驱动解决方案。
二、核心特性分析
1. 门极驱动性能
- 驱动能力:2A源电流/3A灌电流(25°C,VH=6V条件下)
- 传播延迟:输入-输出仅45ns
- 栅极驱动电压:最高15V,支持负压驱动
- 独立优化:通过专用栅极电阻可独立优化开通和关断过程
2. 保护功能
- 欠压锁定(UVLO) :针对增强型GaN晶体管优化
- 温度保护:集成热关断保护
- 硬件互锁:双输入引脚支持极性控制和硬件互锁保护,防止控制器故障时的交叉导通
3. 电源配置
- 逻辑供电:可由板载3.3V或外部5V(VAUX)提供
- 驱动电压选择:通过跳线轻松配置+6/0V或+6/-3V驱动模式
- 隔离供电:板载隔离DC-DC转换器,最大隔离耐压5.2kV
三、电路设计要点
1. 驱动电路架构
评估板采用完整的半桥配置:
- 高压侧和低压侧各使用一片STGAP2GS驱动器
- 驱动SGT120R65AL e-Mode GaN晶体管
- 支持负栅极驱动,优化e-Mode GaN晶体管工作
2. 输入信号处理
- 输入兼容性:支持3.3V、5V TTL/CMOS输入,带迟滞
- 极性控制:支持信号极性选择
- 死区时间生成:通过74LVC1G86和74LVC1G17芯片实现
3. 电源管理设计
- 隔离DC-DC:采用MGJ2D051509SC模块
- 电压调节:通过BC847B晶体管和齐纳二极管实现精确稳压
- 滤波网络:多层次电容滤波确保电源质量
四、关键元件选型
主要功率器件
- GaN晶体管:SGT120R65AL(650V,75mΩ,15A)
- 门极驱动芯片:STGAP2GS(SO-8W封装)
- DC-DC转换器:Murata MGJ2D051509SC
保护元件配置
- 栅极电阻:47Ω串联电阻配合1Ω栅极电阻
- 齐纳保护:6.8V和2.7V齐纳二极管用于过压保护
五、布局与散热考虑
PCB设计特点
- 四层板结构,优化信号完整性
- 高压部分保持足够爬电距离
- 测试点布局便于性能评估
热管理策略
- PowerFLAT 5x6封装优化散热
- 合理元件分布减少热耦合
六、应用配置指南
1. 驱动电压设置
- 5V模式:闭合R28,断开R31
- 3.3V模式:断开R28,闭合R31,R30设为240Ω
- 外部供电:R28、R31、R30全部断开
2. 信号路径选择
- 默认配置:来自PWM死区时间发生器
- 备选配置:来自连接器J1
七、性能评估要点
该评估板允许在以下方面进行全面评估:
- 驱动性能:在不同开关频率下的驱动特性
- 效率分析:GaN晶体管的开关损耗评估
- 保护功能:UVLO和热关断的触发测试
- 系统稳定性:在各种负载条件下的工作表现
八、典型应用场景
工业应用领域