龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品

专为高频应用优化

随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升，IGBT作为电力电子系统的核心开关器件，其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求，龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。

产品型号

产品核心特点

龙腾半导体新品IGBT发布，在电源能效的核心指标上实现关键突破，以出色的静态损耗与关断损耗表现，为高可靠性电源设计提供了更优解。

·耐压等级：650V

·额定电流：15A / 20A /40A（@TC=100℃）

·低压降导通：VCE(sat)典型值低至1.5V，导通损耗显著降低

·快速关断特性：Eoff 仅 0.19mJ（15A型）/ 0.25mJ（20A型）/ 0.63mJ（40A型），适用于高频开关场景

·封装形式：工业标准，兼容性强

·产品定位：半电流-快速型，针对高频应用优化，提升效率

新品竞争优势

通过龙腾实验室与市场主流竞品对比测试显示：关断损耗与国内外同代次竞品水平居中，静态损耗优于竞品。

·具备更低的饱和压降，有效降低导通损耗，提升系统整体效率；

·静态损耗与开关特性全面优化，共同助力高频应用实现更低的整体功耗；

·综合性能均衡，兼顾效率与温控，助力高可靠性电源设计。

对比测试

注：数据来源于龙腾实验室实测

典型应用

·电焊机

·便携式储能

·不间断电源UPS

·逆变器

·充电机