STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化,可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管,可提供高达20V的外部开关,并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。
数据手册:*附件:STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板数据手册.pdf
电源和信号连接

STDRIVEG60015演示板技术解析:650V E模式GaN半桥驱动设计指南
一、产品概述与核心特性
STDRIVEG60015是意法半导体推出的高性能演示板,专门用于评估STDRIVEG600栅极驱动器与SGT120R65AL E模式GaN晶体管的协同工作表现。该板卡采用标准50×70mm FR-4 PCB设计,在静止空气中可实现25°C/W的结到环境热阻。
核心亮点特性:
- 高压驱动能力:采用600V STDRIVEG600栅极驱动器,支持高达500V的总线电压
- 高效GaN器件:集成75mΩ典型值、650V E模式GaN HEMT,采用5×6mm PowerFLAT HV封装
- 灵活供电设计:4.75至6.5V VCC栅极驱动电源电压
- 智能死区控制:板载可调死区发生器,可将单个PWM信号转换为独立的高侧和低侧死区时间
- 集成电源管理:板载3.3V稳压器,可为外部电路供电
二、关键电路设计深度解析
2.1 栅极驱动架构
STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器,专门优化用于驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件集成了自举二极管,允许为外部开关提供高达20V的供电,并配备针对GaN HEMT定制的欠压保护功能。
驱动拓扑特点:
- 支持高侧和低侧独立控制
- 集成自举电路设计
- 优化的开关速度和抗干扰能力
2.2 功率级设计
功率级采用两个SGT120R65AL 650V E模式GaN开关管组成半桥结构:
- 导通电阻:75mΩ典型值
- 封装技术:PowerFLAT 5×6mm HV,集成Kelvin源极
- 布局优化:减小寄生电感和电容影响
三、系统连接与配置指南
3.1 电源连接规范
演示板提供完整的连接接口,确保系统稳定运行:
电源连接器配置:
- J1:6V栅极驱动器电源输入
- J4:高压总线正极供电(三个引脚并联)
- J6:功率地连接(三个引脚并联)
推荐的上电顺序:
- 首先开启VCC电源
- 然后施加HV总线电压
推荐的下电顺序: - 首先关闭HV总线电源
- 然后关闭VCC电源
3.2 信号输入配置
系统支持两种输入模式,用户可根据应用需求灵活选择:
| 输入模式 | 电阻配置 | 功能描述 |
|---|
| PWM模式 | R4、R7闭合,R17、R18开路 | LIN和HIN由板载死区发生器从J2第7引脚的单PWM信号生成 |
| 直接输入模式 | R17、R18闭合,R4、R7开路 | 直接连接至STDRIVEG600的LIN和HIN引脚,输入范围可达20V |
3.3 死区时间调整
板载可编程死区发生器提供灵活的时序控制:
- TR1:设置高侧开启前的死区时间
- TR2:设置低侧开启前的死区时间
- 默认值:微调器处于制造中间位置时,典型死区时间约为100ns
- 范围调整:可通过更换C3和C7电容改变死区发生器范围
四、安全操作与工程实践
4.1 安全操作规范
由于涉及高压操作,必须严格遵守安全准则:
电气安全要求:
- 所有测量设备必须使用充分绝缘的探头、夹子和连接线
- 切勿在演示板通电时触摸板卡,存在电击危险
- 在断开电源供应后,不要立即接触板卡,因为包含可能带电电容器的部件需要时间放电
个人防护措施:
- 始终佩戴合适的个人防护设备,如绝缘手套和安全眼镜
- 安装防护罩,如必要时使用带互锁的绝缘盒
4.2 热管理设计
PCB热设计参数:
- 尺寸规格:50×70mm FR-4材料
- 热阻性能:25°C/W Rth(J-A)(静止空气条件下)
- 散热策略:通过优化的铜箔布局和热过孔设计
五、性能监控与调试接口
5.1 栅极信号监测
板卡提供专业级监测接口,确保设计验证的准确性:
- CN1:用于使用高带宽、高压差分探头监测高侧GaN功率晶体管的栅极(GH)
- CN2:用于使用高带宽差分探头监测低侧GaN功率晶体管的栅极(GL)
推荐探头要求:
- 光学隔离探头
- 具备MMCX连接器
- 高带宽性能(>100MHz)
六、应用场景与定制化能力
6.1 典型应用领域
_BLDC电机驱动
_高频开关电源
_光伏逆变器
_电动汽车充电系统
6.2 定制化扩展能力
板卡预留多个扩展焊盘,支持多种应用定制:
- 分离LIN和HIN输入信号或单PWM信号
- 使用可选的外部自举二极管
- VCC、PVCC或BOOT的独立供电
- 用于峰值电流模式拓扑的低侧分流电阻器使用
七、工程实施建议
7.1 设计验证要点
- 时序验证:使用高带宽示波器验证死区时间设置
- 热性能测试:在不同功率等级下监测器件温度
- 开关特性:测量开关损耗和开关速度
- 系统稳定性:在不同负载条件下验证系统鲁棒性
7.2 量产设计考虑
基于演示板的评估结果,为最终产品设计提供数据支撑:
- 散热器选型依据热测试结果
- PCB布局参考演示板的优化设计
- 元件选型基于实际工作条件