STMicroelectronics M95P16超低功耗16Mb SPI页面EEPROM基于非易失性存储器（NVMe）技术。该EEPROM具有字节灵活性、页面可更改、高页面循环性能和超低功耗，相当于EEPROM技术。M95P16 EEPROM组织为4096可编程页，每页512字节，通过SPI总线访问，具有高性能双通道和四通道SPI输出。该EEPROM具有超低功耗、ECC（实现高内存可靠性（DEC、TED））、电子标识以及施密特触发器输入（用于噪声滤波）。M95P16 EEPROM支持高达80MHz时钟频率，电源电压范围为1.6V至3.6V，符合ECOPACK2（RoHS指令），不含卤素。

数据手册：*附件：STMicroelectronics M95P16超低功耗16MB SPI页面EEPROM数据手册.pdf

M95P16 EEPROM提供两个额外（标识）512字节页面。第一个包含标识数据，应要求可提供UID。第二种可以存储敏感的应用参数，这些参数以后可以永久锁在只读模式下。该EEPROM接受页面/块/扇区/芯片擦除命令，将内存设置为擦除状态。

特性

• ECC，实现高内存可靠性（DEC、TED）
• 用于噪声过滤的施密特触发器输入
• 输出缓冲器可编程强度
• ISO26262工作状态标志
• 软件重置
• 按块写入保护，顶部/底部选项
• 应要求提供唯一ID
• 电子标识
• 支持串行闪存可发现参数 (SFDP) 模式
• JEDEC标准制造商标识
• 封装：
  • ECOPACK2（符合RoHS指令）和无卤素封装：
    • DFN8 2毫米x3毫米
    • SO8N
    • WLCSP8

框图

M95P16：超低功耗16MB SPI页面EEPROM，为高可靠性嵌入式系统而生

产品概述

M95P16是一款16Mbit（2MB） 的SPI接口EEPROM，具备页面写入能力，支持 单线、双线和四线输出模式 。其工作电压范围广泛（ 1.6V至3.6V ），适用于从电池供电设备到工业控制系统的多种应用场景。

该器件提供两种温度范围版本：

• M95P16-I ：工业级，-40°C 至 +85°C
• M95P16-E ：扩展级，-40°C 至 +105°C

核心特性

1. 超低功耗设计

• 深度掉电模式下仅消耗0.6 µA（典型值）
• 待机电流低至16 µA
• 读取电流在10 MHz下仅为800 µA
• 写入电流峰值控制在3 mA以内

2. 高性能写入与擦除

• 页面写入（512字节） 仅需2.0 ms（包括自动擦除与编程）
• 页面编程仅1.2 ms
• 支持页、扇区、块和整片擦除操作
• 提供 缓冲区加载模式 ，可隐藏SPI通信延迟

3. 高可靠性

• 写入寿命 ：全温度范围内可达50万次
• 数据保存期限 ：100年（10年@50万次写入后）
• 内置 ECC（错误校正码） ，支持双位纠错、三位检错
• 提供多种软硬件写保护机制

4. 灵活的存储结构

• 组织为：
  • 4096页 ，每页512字节
  • 512个扇区 ，每扇区4 KB
  • 32个块 ，每块64 KB
• 提供 两个独立的识别页 ，可用于存储设备ID或关键参数

5. 多种封装选项

• SO8N （4.9 x 6.0 mm）
• UFDFPN8 （2 x 3 mm）
• WLCSP8 （1.363 x 1.809 mm）

典型应用场景

• 物联网设备 ：如传感器节点、穿戴设备
• 工业控制系统 ：PLC、电机驱动、数据日志
• 汽车电子 ：符合ISO26262功能安全要求
• 消费电子 ：智能家居、打印机、摄像头模组

指令集与通信接口

M95P16支持完整的SPI指令集，包括：

• 读取（READ、FREAD、FOREAD、FQREAD）
• 写入与编程（PGWR、PGPR）
• 擦除（PGER、SCER、BKER、CHER）
• 状态与配置寄存器访问（RDSR、WRSR、RDCR、WRVR）
• 识别页读写（RDID、WRID）
• 深度掉电与控制（DPD、RDPD、RESET）

其SPI接口支持**Mode 0（CPOL=0, CPHA=0）** 和 **Mode 3（CPOL=1, CPHA=1）** ，最高时钟频率可达 **80 MHz** （四线模式）。