STMicroelectronics EVLHV101SSR50W 50W转换器 满足高性能LED照明系统的需求。STMicroelectronics EVLHV101SSR50W在50W最大功率下提供稳定且绝缘的60V电压。该板适用于诸多应用，从独立电源到可调光或非可调光离线LED驱动器中的前端级。EVLHV101SSR50W具有高功率因数、低THD和低BOM成本。

数据手册：*附件：STMicroelectronics EVLHV101SSR50W 50W转换器数据手册.pdf

特性

• VIN 90-265 V RMS ，f 45-66Hz输入电压
• 输出电压：60V/833mA
• 高功率因数，低THD
• 待机模式下效率>50% (POUT = 240mW)
• 平均效率：4点（25%、50%、75%、100%负载）>91%
• 带谷值锁定的频率折返，实现无噪声运行
• T AMB-MAX =60°C
• 开放负载电压限制 (<65V)
• 短路保护（自动重启）
• 针对开关MOSFET的NTC过热保护
• 符合RoHS指令

连接器映射

基于STMicroelectronics EVLHV101SSR50W 50W转换器的技术解析与应用指南

一、核心架构解析：HVLED101控制器的高性能实现

‌1.1 功率拓扑特点‌
EVLHV101SSR50W采用HVLED101准谐振HPF反激控制器配合二次侧调节架构，实现50W稳定隔离输出电压。输入电压范围覆盖90-265Vrms（45-66Hz），输出规格为60V/833mA，具备高功率因数与低THD特性。

‌1.2 能效表现卓越‌

• 满载效率：115VAC输入时达91.7%，230VAC时达92.4%
• 四负载点（25%/50%/75%/100%）平均效率均超过91%
• 待机性能：240mW输出时效率>50%，空载功耗仅135-140mW

二、关键电路设计原理

‌2.1 频率折返与谷底锁定机制‌
HVLED101控制器采用频率折返配合谷底锁定操作，有效降低开关损耗并最大限度抑制噪声产生。这种智能频率调制策略使得系统在轻载和重载条件下均能保持最佳工作状态。

‌2.2 完善的保护电路设计‌

• ‌输出保护‌：开路电压限制（<65V）、短路保护配合自动重启
• ‌温度保护‌：NTC过温保护监测开关MOSFET
• ‌输入适应性‌：输入电压波动、过电压（浪涌/突发）及欠电压保护机制

三、材料清单与元器件选型策略

‌3.1 核心器件规格‌

• ‌主控芯片‌：HVLED101（高功率因数反激控制器）
• ‌功率MOSFET‌：STF14N80K5（800V/0.4Ω N沟道）
• ‌整流桥‌：GBU406（4A玻璃钝化）
• ‌输出整流‌：STTH16R04CT（2×超快恢复二极管400V）

‌3.2 电容选型规范‌

• ‌输入滤波‌：C1/C4采用305VAC X2薄膜电容（47nF/220nF）
• ‌输出滤波‌：C25/C26采用680μF-80V铝电解电容
• ‌高频旁路‌：多层陶瓷电容全面覆盖1kV耐压需求

四、PCB布局与热管理设计

‌4.1 组件布局优化‌
如附图所示，顶部布局将功率器件（Q1、T1、D4）与控制器U1分区布置，底部组件主要为无源器件。这种分区设计有效隔离热源与信号器件，提升系统可靠性。

‌4.2 散热设计约束‌
数据手册明确标注最高环境温度TAMB-MAX = 60°C，设计时需确保在满载条件下满足此温度限制。

五、连接器配置与接口定义

‌ 5.1 输入接口（J1） ‌

• Pin1/2：交流电源输入（高压警告）
• Pin3：接地连接

‌ 5.2 输出接口（J2） ‌

• Pin1：接地
• Pin2：60V隔离输出

六、应用场景拓展

‌6.1 独立电源应用‌
可直接作为稳定隔离的50W电源使用，特别适用于对功率因数和THD有严格要求的场合。

‌6.2 LED驱动前端‌
作为可调光（或非调光）离线LED驱动器的前端级，其高功率因数和低BOM成本特性使其在此类应用中表现优异。

七、认证与合规性

该方案完全符合多项国际标准：

• ‌安全标准‌：EN60065
• ‌电磁兼容‌：EN55022（传导发射）
• ‌环保要求‌：RoHS合规

八、设计建议与注意事项

‌8.1 降额设计原则‌
虽然器件参数标称800V耐压，实际设计时应考虑留有余量，特别是在高温或恶劣环境应用中。

‌8.2 测试验证要点‌
-[1] 效率测试需覆盖多个负载点（25%/50%/75%/100%）
-[2] 保护功能验证需包括短路、过载、过温等极限情况