得一微电子首发3DNAND 打开全球化新局面

2018年8月7日，全球重要的闪存控制器供应商深圳市得一微电子有限责任公司（以下简称“得一微电子”）携多款最新产品参展全球顶级闪存峰会2018 Flash Memory Summit(简称“FMS”)，并发表重要演讲，向全球闪存界分享最新的3D NAND Flash研究成果，获得高度认可。

FMS是目前存储业内最为国际性顶级闪存峰会，来自全球的闪存界优秀企业汇聚于此，合作交流。今年FMS在位于美国硅谷加州圣克拉拉会议中心举办，得一微电子向全球客户展示全套闪存控制器解决方案，从USB3.1、SD、eMMC 到SATA SSD、PCIe NVMe SSD，产品线齐全，并全线支持3D NAND Flash，得一微电子是唯一能提供一站式解决方案的中国大陆厂商。

得一微电子市场总监罗挺介绍公司产品的最新进展，他说，SATA3.2 SSD控制器YS9083XT 已经获得规模应用，得到众多客户的认可，此外PCIe Gen3x2 YS9201正在Design in, 处于客户送样中。

在此次峰会上，得一微电子还发布了新款高IOPS eMMC 控制器YS8293EN,闪存支持DDR533,带宽提高30%，SRAM扩大，提高随机读写速度，进一步扩大公司在嵌入式存储领域的影响力。

罗挺认为，中国存储控制器厂商参与国际交流甚至竞争，让世界了解中国闪存主控的真正实力，得一微电子有信心肩负中国闪存控制器崛起的重任。

在同期举办的闪存论坛上，得一微电子闪存特性分析部门经理叶敏展示最新研究成果“A Graphical Journey into 3D NAND Program Operations”。他对3D NAND 的TLC以及QLC操作特性进行了直观的演示，对比了Flash的One Shot编程与2-Pass编程的物理过程，通过先进高效的研究手段，充分理解各家主流3D供应商的特征，通过基础研究，提升闪存应用的可靠性。这项研究也令得一微电子更深入地了解闪存，有利于闪存控制器的先进技术研发。

这项研究不仅针对目前主要的闪存供应商的3D NAND，也适用于长江存储即将量产的3D NAND产品，可谓覆盖全面，分析详尽。

日前，长江存储正式公布了在3D NAND构架上的最新技术Xtacking。据长江存储表示，采用Xtacking技术的存储芯片，I/O速度有望达到了3Gbps，和DDR4内存相当，而目前日韩厂商同类产品的速度为1Gbps左右。

针对这一闪存技术以及将应用于对应的产品并有望明年实现量产，罗挺认为这就要求闪存控制器厂商对闪存特性进行深入分析，确立对应的主控方案，而得一微电子对3D NAND的特性分析研究成果将有助于开发更适合的控制器。他透露，接下来得一微电子规划的产品将会定位更高，匹配长江存储的高性能I/O接口。

得一微电子此次参加FMS，携全产品线进行全球首秀，必将得到更多朋友们的关注，为得一微电子的全球化打开新局面。

接下来，得一微电子还将参加8月16日在哈尔滨举行的第十届中国测试学术会议的存储可靠性技术论坛，并由市场总监罗挺带来“提高闪存介质可靠性的工程”的技术演讲。