选型手册：MBR20150A 系列肖特基势垒整流二极管

仁懋电子（MOT）推出的 MBR20150A 是一款面向大电流整流场景的肖特基势垒二极管，凭借 20A 连续电流承载能力、150V 反向耐压及低正向压降特性，广泛适用于开关电源、逆变器、电池充电器等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与功率整流器件布局

仁懋电子（MOT）聚焦功率半导体全品类研发，在大电流肖特基二极管领域具备技术积累，产品以 “低损耗、高鲁棒性” 为核心优势，服务于电源转换、工业控制、消费电子等场景。MBR 系列是其大电流肖特基产品线的代表，MBR20150A 针对 20A/150V 整流需求优化了正向压降与热稳定性，在高频整流、大电流续流等场景中表现突出。

二、MBR20150A 基本信息

MBR20150A 是肖特基势垒整流二极管，核心定位 “大电流高效整流器件”，适配 150V 系统的大电流整流需求（如开关电源输出整流、逆变器续流等）。其核心特性包括：

• 电压适配：反向耐压（VRM）达 150V，兼容中高压整流场景；
• 电流能力：连续正向电流（IF）20A，峰值正向电流（IFM）可达更高（典型值 40A 以上，依脉冲宽度而定），满足大负载持续与瞬时电流需求；
• 导通损耗：正向压降（VF）典型值0.8V@20A（室温下），显著降低整流过程中的导通损耗；
• 封装形式：采用 TO-220AB 直插封装，内置散热焊盘，适配大电流场景的散热需求，支持批量安装与维护。

三、核心特性

MBR20150A 围绕 “大电流高效整流” 需求打造，具备以下技术优势：

• 低正向压降：优化肖特基势垒结构，使正向导通损耗大幅降低，提升电源转换效率；
• 快恢复特性：肖特基二极管天然无反向恢复时间（trr≈0），适合高频整流场景（如 100kHz 以上开关电源）；
• 高电流密度：20A 连续电流能力，在 TO-220 封装下实现高电流密度，节省电路板空间；
• 热稳定性优化：封装内置散热设计，结温（TJ）最高可达 150℃，保障大电流工况下的长期可靠性。

四、关键电气参数（TA=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 反向耐压（VRM）：150V，超过此值易导致器件反向击穿；
• 连续正向电流（IF）：20A（TA=25℃），随环境温度升高需降额使用；
• 峰值正向电流（IFM）：80A（脉冲宽度≤10ms，占空比≤2%），支持负载瞬时大电流需求；
• 功耗（PD）：160W（TA=25℃），需搭配散热片保障热管理；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

2. 静态特性

• 正向压降（VF）：典型值0.8V@20A，测试条件 TA=25℃，反映导通损耗水平；
• 反向漏电流（IR）：典型值5μA@150V，TA=25℃，体现器件反向截止性能。

五、封装与型号释义

型号 MBR20150A 中，“MBR” 为肖特基二极管系列标识，“20” 代表20A 连续正向电流，“150” 代表150V 反向耐压，“A” 为版本标识（TO-220AB 封装，标准级参数）。其封装 TO-220AB 为直插式结构，引脚定义为：1 脚阳极（A）、2 脚阴极（K）（以实际封装顶视图为准），适配传统插装式电源电路设计。

六、典型应用场景

MBR20150A 凭借 20A 电流与 150V 耐压特性，典型应用包括：

• 开关电源输出整流：在 AC-DC、DC-DC 转换器的输出端作为整流管，低损耗特性提升电源效率；
• 逆变器续流二极管：为逆变器中的感性负载（如电机）提供续流回路，快恢复特性避免高频干扰；
• 电池充电器：在大电流电池充电电路中作为整流或防反接二极管，保障充电效率与安全性；
• 大电流直流电路：如电动工具、工业设备的直流供电回路中，用于整流或电流控制。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于肖特基二极管通用特性及行业惯例整理，实际应用需以厂商最新手册及器件批次测试数据为准。）