选型手册：MOT30100D 系列肖特基势垒整流二极管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT30100D 是一款面向大电流整流场景的肖特基势垒二极管，凭借 30A 连续电流承载能力、100V 反向耐压及低正向压降特性，广泛适用于开关电源、整流器、电池充电器等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与肖特基整流器件布局

仁懋电子（MOT）聚焦功率半导体全品类研发，在大电流肖特基二极管领域具备技术积累，产品以 “低损耗、高鲁棒性” 为核心优势，服务于电源转换、工业控制、消费电子等场景。MBR 系列（此处 MOT30100D 属于同类型肖特基产品线）是其大电流整流器件的代表，针对 30A/100V 整流需求优化了正向压降与热稳定性，在高频整流、大电流续流等场景中表现突出。

二、MOT30100D 基本信息

MOT30100D 是肖特基势垒整流二极管，核心定位 “30A 级高效整流器件”，适配 100V 系统的大电流整流需求（如开关电源输出整流、逆变器续流等）。其核心特性包括：

• 电压适配：峰值反向耐压（VRRM）达 100V，兼容中压大电流整流场景；
• 电流能力：连续正向电流（IF (AV)）30A，峰值正向电流（IFM）可达 150A（脉冲宽度≤10ms，占空比≤2%），满足负载持续与瞬时电流需求；
• 导通损耗：正向压降（VF）典型值0.82V@15A（室温下），显著降低整流过程中的导通损耗；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的大电流整流设计；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT30100C，70 片 / 管），满足传统插装需求。

三、核心特性

MOT30100D 围绕 “大电流高效整流” 需求打造，具备以下技术优势：

• 低正向压降：优化肖特基势垒结构，正向导通损耗大幅降低，提升电源转换效率；
• 无反向恢复时间：肖特基二极管天然无反向恢复时间（trr≈0），适合高频整流场景（如 100kHz 以上开关电源）；
• 高电流密度：30A 连续电流能力在 TO-252 封装下实现高集成度，节省电路板空间；
• 可靠性设计：具备浪涌电流耐受能力，内置应力保护 Guard Ring，适应工业级严苛工况；
• 环保合规性：无铅设计，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。

四、关键电气参数（TA=25℃，除非特殊说明）

1. 最大额定值

• 峰值反向耐压（VRRM）：100V，超过此值易导致器件反向击穿；
• 连续正向电流（IF (AV)）：30A（TA=25℃），随环境温度升高需降额使用；
• 峰值正向电流（IFM）：150A（脉冲宽度≤10ms，占空比≤2%），支持负载瞬时大电流需求；
• 功耗（PD）：由正向压降与电流乘积决定，典型工况下（IF=30A，VF=0.82V）功耗约 24.6W，需搭配散热措施；
• 结温范围（TJ）：-55~+175℃，存储温度范围与结温区间一致。

2. 电气特性

• 正向压降（VF）：典型值0.82V@15A，测试条件 TA=25℃，反映导通损耗水平；
• 反向漏电流（IR）：典型值60μA@100V（TA=25℃），6mA@100V（TA=125℃），体现器件反向截止性能。

五、封装与型号释义

型号 MOT30100D 中，“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“30” 代表30A 连续正向电流，“100” 代表100V 峰值反向耐压，“D” 为版本标识（TO-252 贴片封装，2500 片 / 卷）；

• 对应直插型号 MOT30100C 后缀 “C”，采用 TO-251 封装，70 片 / 管，适配传统插装式电路设计。

六、典型应用场景

MOT30100D 凭借 30A 电流与 100V 耐压特性，典型应用包括：

• 开关电源输出整流：在 AC-DC、DC-DC 转换器的输出端作为整流管，低损耗特性提升电源效率；
• 逆变器续流回路：为逆变器中的感性负载（如电机、电感）提供续流路径，无反向恢复特性避免高频干扰；
• 电池充电器：在大电流电池充电电路中作为整流或防反接二极管，保障充电效率与安全性；
• 大电流直流整流：如工业设备、电动工具的直流供电回路中，用于交流电整流或电流控制。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）