STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C™供电板是用于高密度、大功率65W USB供电 (USB-PD) 电路的参考设计,支持可编程电源 (PPS)。EVLONE65W参考供电板基于ST-ONE数字控制器。ST-ONE在单个集成封装中集成了Arm® Cortex- M0+内核、具有同步整流功能的离线可编程控制器和USB PD PHY。
数据手册;*附件:STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C™供电板数据手册.pdf
STMicroelectronics EVLONE65W供电板采用SSOP36封装,并且预装了ST-ONE数字控制器。该板还设有MasterGaN电源系统级封装 (SiP),集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。
ST-ONE在MasterGaN功率级上实现了高开关操作,因此可在实现极高效率的同时使用小型磁性元件。
特性
- 通用输入电源范围:90V
AC至265V AC ,47Hz至63Hz - 最大输出功率:65W
- 功率密度 ^:^ 30W/in3
- 满载时效率>93%
- 最大恒定电流输出:3.75A
- 输出电压范围
: 3.3VDC至21.0VDC - PD输出
- 五个固定PDO
- 5V @ 3.75A
- 9V @ 3.75A
- 12V @ 3.75A
- 15V @ 3.75A
- 20V @ 3.25A
- 两个APDO (PPS)
- 3V至16V (3.75A)
- 3.3V至21V (3.25A)
- PPS模式
- 通过认证的USB供电1.1.2电源适配器
- 恒流和恒压反馈环路
- 保护
示意图

STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C供电板技术解析
一、产品概述
EVLONE65W是一款基于ST-ONE数字控制器的高功率密度USB-PD供电板,支持可编程电源(PPS)协议。其核心创新在于集成Arm® Cortex® M0+内核、离线可编程控制器、同步整流控制器及USB-PD PHY于单芯片,配合GaN功率级实现超紧凑设计(58×32×20 mm),功率密度高达30 W/in³,适用于高效充电器与适配器。
二、关键特性
- 输入输出参数
- 输入电压:90-265 Vac(47-63 Hz)
- 输出功率:65 W(最大)
- 输出电压范围:3.3-21 Vdc
- 输出电流:3.75 A(最大恒流)
- USB-PD协议支持
- 固定PDO:5 V/3.75 A、9 V/3.75 A、12 V/3.75 A、15 V/3.75 A、20 V/3.25 A
- APDO(PPS) :3.3-16 V@3.75 A、3.3-21 V@3.25 A
- PPS步进精度:电压20 mV、电流50 mA
- 能效与保护
- 全负载效率>93%
- 多重保护:欠压/过压/过流/过温/Brown-out保护
三、系统架构与核心技术
- ST-ONE控制器
- 集成初级侧主动钳位反激控制器与高压启动电路,次级侧MCU及USB-PD通信外设。
- 采用隔离双通信通道连接初级与次级,确保安全性与信号完整性。
- 功率拓扑
- 零电压开关(ZVS)非互补主动钳位反激架构,搭配MasterGaN半桥功率级(MG1)。
- 高频开关技术(未明确频率)结合小型磁元件(如变压器T1),优化体积与效率。
- 关键电路模块
- 输入整流滤波:桥式整流器(BR1)配合多层陶瓷电容(C2-C4)及电解电容(C5-C8)。
- GaN驱动:通过自举电路(C10、C13)实现高压侧驱动。
- 反馈控制:恒压(CV)与恒流(CC)双环路,由ST-ONE的GPIO与ADC引脚实现精确调节。
四、材料清单(BOM)设计要点
- 功率器件选型
- MasterGaN4(MG1):集成驱动与GaN HEMT的半桥模块,降低寄生参数。
- 整流二极管:STPS30170DJF(D5-D8)、ES1JFL(D8),确保低反向恢复损耗。
- 被动元件布局
- 输出电容:采用聚合物电容(C29、C30)与陶瓷电容(C28)组合,降低纹波。
- 电流检测:0.62 mΩ精密电阻(R5-R8)实现高精度电流监控。
五、应用场景与设计建议
- 高密度适配器
- 利用PPS协议动态调整输出电压,满足手机/笔电快充需求。
- 建议加强散热设计,如通过PCB铜箔与外部散热器结合。
- 安全与认证
- 符合USB PD 3.1.1.2认证标准,设计时需注意隔离耐压(如变压器T1)与EMI抑制(共模电感L1)。