选型手册：MOT65R380D 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT65R380D 是一款面向高压功率转换场景的 N 沟道超级结功率 MOSFET，凭借 650V 耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与高压超级结功率半导体布局

仁懋电子（MOT）深耕高压功率半导体器件研发，在超级结 MOSFET 领域具备技术积累，产品以 “高耐压、低损耗、高可靠性” 为核心优势，服务于工业电源、能源转换、电力电子等场景。MOT65R380 系列作为其高压超级结产品线的代表型号，针对 650V 级功率转换场景优化了导通电阻与开关特性，在 PFC 拓扑、高压直流转换等场景中表现突出。

二、MOT65R380D 基本信息

MOT65R380D 为N 沟道超级结功率 MOSFET，核心定位 “650V 级高压高效功率开关器件”，适配 650V 系统的功率控制需求（如 PFC 电路、开关电源等）。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 650V，兼容高压供电系统；
• 电流能力：25℃ 下连续漏极电流（ID）为 11A，脉冲漏极电流（IDpk）达 22A（Tc=25℃）、15A（Tc=100℃），满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 0.38Ω，高压场景下平衡损耗与成本；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度高压电路板设计；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT65R380C，70 片 / 管），满足传统插装需求。

三、核心特性

MOT65R380D 围绕 “高压高效功率转换” 需求，基于超级结技术打造，具备以下技术优势：

• 超级结架构：通过优化芯片垂直结构，实现高耐压与低导通电阻的平衡，650V 耐压下 RDS (on) 仅 0.38Ω，显著降低高压转换损耗；
• 低栅极电荷：优化栅极电荷特性，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性；
• 100% UIS 测试：全批次通过雪崩耐量（UIS）测试，在感性负载开关、异常过压等场景下可靠性更高；
• RoHS 合规性：符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求；
• 高鲁棒性设计：强化 dv/dt 与 di/dt 耐受能力，适应工业级高压环境的严苛工作条件。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 650V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：11A（Tc=25℃），Tc=100℃时降额至 15A；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：22A（Tc=25℃，脉冲宽度≤10ms）；
• 雪崩能量（EAS）：单脉冲最大值 99mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 功耗（PD）：31.2W（Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

2. 热特性

• 结壳热阻（θJC）：1.8℃/W，反映芯片到外壳的散热效率；
• 结环境热阻（θJA）：45℃/W，需结合 PCB 散热设计优化结温。

五、封装与型号释义

MOT65R380 系列通过后缀区分封装类型，型号释义如下：

• MOT65R380D：“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“65” 代表 “650V 漏源耐压”，“R380” 代表 “RDS (on) 典型值 0.38Ω”，“D” 为版本标识（TO-252 贴片封装，2500 片 / 卷）；
• MOT65R380C：后缀 “C” 对应 TO-251 直插封装，每管 70 片，适配传统插装式高压电路设计。

六、典型应用场景

MOT65R380D 凭借 650V 耐压与超级结低损耗特性，典型应用包括：

• 功率因数校正（PFC）：在 AC-DC 转换器的 PFC 前端电路中作为主开关管，提升电网功率因数与电源效率；
• 开关模式电源（SMPS）：适配反激、正激等拓扑的高压开关电源，如工业电源、服务器电源；
• 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统的功率转换回路中，实现市电与电池供电的高效切换；
• 高压负载控制：如高压继电器替代、高压电磁阀驱动等场景，利用高耐压特性简化电路设计。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）