‌STWBC86 5W Qi兼容无线供电发射器芯片深度解析与技术应用指南

描述

STMicroelectronics STWBC86 Qi兼容无线功率发射器是一种高度集成的单片解决方案,适用于高达5W的应用。STWBC86具有集成式低阻抗全/半桥逆变器,可实现高效率和低功率耗散。

数据手册:*附件:STMicroelectronics STWBC86Qi兼容无线供电发射器数据手册.pdf

STMicro STWBC86设有I^2^C接口,可定制固件和平台参数。该器件的配置通过嵌入式FTP进行。STWBC86可实施额外固件补丁,以提高应用灵活性。

倒装芯片封装和低物料清单数量使STWBC86适合非常紧凑型的应用。

特性

  • WPC Qi 1.2.4兼容功率等级0 BPP
  • 基于A11a拓扑结构的功率Tx参考设计
  • 接收器侧高达5W的输出功率传输
  • 宽温度输入电压范围:4.75V至20V
  • 单片解决方案,集成半桥/全桥逆变器和驱动器,实现高效率和低物料清单
  • 32位,64MHz ARM Cortex微控制器,8KB SRAM
  • FTP(几次可编程),用于固件补丁和高级功能
  • 片上电流检测
  • 10位模数转换器
  • I^2^C接口
  • 完全可配置的GPIO
  • 精确的FOD电压/电流测量
  • 电流限制和热保护
  • 稳健的ASK、FSK通信
  • 倒装芯片72焊球 (3.26mm x 3.67mm)

方框图

高度集成

STWBC86 5W Qi兼容无线供电发射器芯片深度解析与技术应用指南

一、核心特性与产品定位

STWBC86是意法半导体推出的高集成度无线供电发射解决方案,专为5W功率等级的Qi 1.2.4标准应用设计。其关键价值在于‌单片集成全桥/半桥逆变器与驱动器‌,显著降低外部元件数量(BOM),同时实现高效率与低功耗的完美平衡。

技术亮点‌:

  • 内置32位ARM Cortex-M0内核(64MHz主频),配备8KB SRAM和可多次编程存储器(FTP),支持固件升级与功能拓展
  • 宽输入电压范围(4.75V-20V)适配多种电源环境
  • 片上电流检测与10位ADC,实现精确的电压/电流测量与异物检测(FOD)
  • 完整的保护机制:电流限制与过热保护双保险
  • 先进的通信接口:I2C控制 + 可配置GPIO,满足定制化需求

二、架构深度剖析:从芯片到系统

2.1 无线功率传输架构

系统基于‌A11a拓扑结构‌的全桥逆变器设计,通过精确控制发射线圈的PWM频率(110-205kHz)和占空比(10%-50%),实现精准的能量传输控制。逆变器将直流输入转换为交流驱动信号,通过优化的LC谐振电路(典型值:Lp=6.3μH, Cp=0.4μF)向接收端传送能量。

关键工作机制‌:

  1. 功率协商‌:接收端通过ASK调制发送控制错误包(CEP),发射器动态调整工作点
  2. 效率优化‌:通过闭环控制确保传输功率与接收需求精确匹配,减少能量损耗
  3. 温度管理‌:低阻抗设计和优化的功率分配,保持低温运行

2.2 通信协议栈

  • ASK解调‌:专用VS引脚接收线圈信号,外部分压滤波网络(典型值:10kΩ+22nF+680pF)
  • FSK支持‌:满足扩展通信需求
  • I2C寄存器映射‌:提供46个可访问寄存器,涵盖芯片配置、状态监控与中断管理

三、电气特性与极限参数:工程设计红线

3.1 绝对最大额定值(安全边界)

  • 漏源电压‌:AC1/AC2引脚对地最大27V
  • 栅源电压‌:BOOT引脚间最大5.5V
  • 工作结温‌:-40℃至125℃
  • 持续电流‌:AC1/AC2引脚RMS电流2.0A

3.2 核心性能指标

  • 逆变器效率‌:典型值97%(VIN=5.2V, 1A条件)
  • 输入电流消耗‌:关断模式低至3μA,运行模式400μA
  • 导通电阻‌:全桥模式下极低阻抗,显著降低导通损耗

四、应用设计实战指南

4.1 典型5W发射器设计方案

关键外部元件选型‌:

  • 发射线圈:Wurth 760308111(6.3μH ±10%)
  • 谐振电容:4×100nF/50V(Murata GRM31C5C1H104JA01L)
  • 自举电容:47nF/50V(GRM155R61H473JA01D)
  • 滤波网络:V5V0(4.7μF)、V1V8(1μF)、VINV(10μF)
  • ESD保护:双向TVS二极管(SMAJ22CA)

4.2 PCB布局关键要点

  1. 电源完整性‌:V1V8/V5V0滤波电容需紧贴芯片,走线最短化
  2. 接地策略‌:区分模拟地(VSSA)、数字地(VSSD)、功率地(VSSP)
  3. 信号隔离‌:I2C通信线路远离AC1/AC2高压开关噪声
  4. 热管理‌:充分利用底部接地层散热,保证结温可控

4.3 保护电路设计

  • ESD防护‌:AC1/AC2引脚必须配置独立TVS二极管
  • 过压保护‌:可编程阈值(默认20V)
  • 过流保护‌:2A典型限制值

五、寄存器配置与软件控制

5.1 I2C接口协议

  • 器件地址‌:0x61(7位硬件地址)
  • 通信速率‌:支持标准模式(100kbps)和快速模式(400kbps)
  • 自动地址递增‌:支持单寄存器和多寄存器连续读写

关键寄存器组‌:

  • 0x0000-0x001F:芯片标识与版本信息
  • 0x0040-0x004B:实时监测数据(电压、电流、温度)
  • 0x00C0-0x00CF:中断使能/清除/状态
  • 0x00D0-0x00E4:发射器配置与保护阈值

六、故障诊断与性能优化

6.1 常见问题定位

  • EPT(终止功率传输)原因分析‌:可通过0x00E6-0x00E8寄存器读取具体触发源

6.2 效率提升策略

  • 优化谐振电路Q值,降低无功损耗
  • 合理设置频率与占空比组合,寻找最优工作点
  • 通过FTP更新固件,获取最新算法优化

七、应用场景适配

该芯片特别适用于:

  • 智能手机无线充电‌:精确的FOD确保充电安全
  • 医疗电子设备‌:稳定的功率传输满足精密仪器需求
  • 智能穿戴设备‌:紧凑封装(WLCSP72,3.26×3.67mm)适合空间受限应用
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