电子说
一、并行NAND闪存的基本概念
并行NAND闪存(Parallel NAND)是一种通过多条数据线同时传输多位数据的非易失性存储芯片。不同于串行NAND依靠单线传输数据,并行NAND通过多个数据引脚同时传输,极大地提高了数据传输效率和响应速度。
二、架构解析与优势
1. 多平面架构(Multi-plane Architecture)
并行NAND通常设计为多个平面(plane)或存储块(bank),每个平面能够独立执行读写操作。通过交错访问(interleaving)技术,在一个平面进行读写时,其它平面同时执行操作,大幅减少了数据等待时间,提高整体效率。
2. 并行数据传输
通过并行架构,同时进行多位数据传输,大幅增加了吞吐量。例如,常规同步并行NAND的数据传输速率可达到每个引脚200 Mbit/s,多条数据线并行运行可轻松突破Gbps级别。
3. 高可靠性和错误纠正
并行NAND内置先进的ECC(纠错码)技术,有效减少数据存储过程中可能产生的位错误。此外,现代并行NAND芯片提供坏块管理和磨损均衡功能,进一步提升存储稳定性。
三、存储单元类型与特征
SLC(单层单元)
每个单元存储1位数据
擦写寿命高达10万次,速度最快,适合工业和汽车级应用
MLC(多层单元)
每单元存储2位数据
中等耐用性(约1万次),广泛用于消费电子
TLC(三层单元)
每单元存储3位数据
擦写次数约3000次,适合对成本敏感、容量需求高的消费电子市场
四、性能与技术优势
高吞吐量和低延迟
并行数据传输降低整体数据读取延迟和提高吞吐速率。
先进的数据保护措施
内建数据块保护、唯一设备ID和一次性可编程(OTP)区域,确保敏感数据安全。
智能纠错算法
使用自研先进算法进行纠错和坏块管理。
五、并行NAND闪存的典型应用
工业控制系统与汽车电子
采用SLC NAND,耐用性极佳,适合长期可靠运行的环境,如汽车电子、工业自动化等。
消费电子与多媒体设备
MLC/TLC NAND,以成本和容量优势应用于数码相机、智能电视、便携式播放器等。
企业级存储与数据中心
大容量、高性能并行NAND适用于服务器、大数据存储设备,满足企业级高性能存储需求。
嵌入式系统与物联网设备
性能、耐用性和平衡容量,广泛应用于智能家居、穿戴设备和网络终端。
六、芯天下(XTX)并行NAND产品特点
芯天下的并行NAND产品(例如XT27系列)主要为SLC结构,提供工业级可靠性和耐用性,具有如下优势:
支持高效ECC纠错
灵活的封装类型(BGA、TSOP等)
宽温度范围适应工业环境
易于集成,兼容性强,支持快速替换与升级
芯天下 Parallel Nand 主要型号

高可靠性:
采用 SLC 工艺,拥有高擦写耐久(最高可达 10 万次擦写)及长期数据保持能力
内建 14‑bit ECC 硬件引擎、坏块管理、垃圾回收及掉电保护算法,通过数万次随机掉电测试。
接口与封装全面:
支持标准 Parallel NAND(TSOP48、BGA63/BGA67、BGA24 等)及 PPI 接口,兼容性强
多种封装尺寸(6×8mm~12×20mm),适配消费类、工业与嵌入式应用
容量覆盖广泛:
产品容量线从 1 Gbit 至 8 Gbit,覆盖中高容量需求场景
包括 Parallel、SPI、SD NAND 及 MCP 多种产品形态,满足多终端接口与集成需求
应用场景广泛
智能家居、可穿戴、蓝牙设备、教育电子等消费类产品
网络通讯(路由器、机顶盒、家庭网关)、监控、数字电视等中/高容量存储设备
工业级应用支持 −40 °C~85 °C 工作温度,具有更强的抗环境干扰能力
竞争优势
国产自主研发 & 技术积累
自研 SLC NAND 控制器、ECC、坏块管理技术
贴近应用场景
完善的宽电压支持(1.2‑3.6 V),覆盖电池供电、工业供电各种系统
MCU、PSRAM 和闪存多芯片整合 MCP 方案,节省空间、降低成本
认证稳固,客户覆盖广
已获英特尔、联发科、瑞昱、博通、中兴、科沃斯等知名厂商认证
在 TWS、可穿戴、智能电视、汽车电子、5G 网络设备等领域实现量产。
敏捷定制交付能力
Fabless + 委托代工、封测的模式,具备快速响应客户需求能力
支持多接口定制、封装定制,满足 OEM/ODM 的深度设计需求。
向客户推荐理由
高耐久、高可靠:适合要求长久擦写与掉电保护的关键任务场景,如工业监控与汽车日志。
接口灵活、封装丰富:覆盖平板、机顶盒、智能设备等多场景标准接口。
国产可控、认证保障:深耕国内市场,符合安全可控和供应链稳定策略。
集成空间节省方案:MCP 产品节省 PCB 面积,适合轻薄设备市场趋势。
审核编辑 黄宇
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