选型手册：MOT130N03D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT130N03D 是一款面向低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 30V 耐压、超低导通损耗及 130A 大电流承载能力，广泛适用于适配器、充电器的功率开关电路等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与低压大电流功率半导体布局

仁懋电子（MOT）聚焦功率半导体器件研发，在低压大电流 MOSFET 领域具备技术积累，产品以 “低导通电阻、高电流密度” 为核心优势，服务于消费电子、电源适配器、充电设备等场景。MOT130N03 系列作为其低压大电流产品线的代表型号，针对 30V 级大电流场景优化了导通电阻与开关特性，在适配器、充电器的功率开关等场景中表现突出。

二、MOT130N03D 基本信息

MOT130N03D 为N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位 “30V 级大电流高效开关器件”，适配适配器、充电器的功率开关电路等场景。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 30V，兼容低压大电流供电系统；
• 电流能力：25℃ 下连续漏极电流（ID）为 130A，脉冲漏极电流（IDpk）达 240A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 2.5mΩ，VGS=4.5V 时为 3.5mΩ，低压大电流场景下损耗极低；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的批量生产需求；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT130N03C，70 片 / 管），满足传统插装需求。

三、核心特性

MOT130N03D 围绕 “低压大电流高效开关” 需求打造，具备以下技术优势：

• 超低导通电阻：2.5mΩ（VGS=10V）的典型导通电阻，在 130A 大电流传输时热损耗显著降低，提升系统能效；
• 快速开关能力：优化芯片设计实现快速开关特性，适合适配器、充电器中高频功率开关场景；
• 低栅极电荷：降低驱动电路功耗，支持高频 PWM 控制；
• 低反向传输电容：减少米勒效应影响，增强电路抗干扰能力与开关稳定性；
• 高鲁棒性设计：单脉冲雪崩能量达 540mJ，应对感性负载关断时的能量冲击，可靠性强。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 30V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：130A（Tc=25℃），Tc=100℃时需降额使用；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：240A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%），支持负载短时过载；
• 雪崩能量（EAS）：单脉冲最大值 540mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 功耗（PD）：83W（Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

2. 热特性

• 结壳热阻（θJC）：1.5℃/W，反映芯片到外壳的散热效率；
• 结环境热阻（θJA）：100℃/W，需结合 PCB 散热设计优化结温。

五、封装与型号释义

MOT130N03 系列通过后缀区分封装类型，型号释义如下：

• MOT130N03D：“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“130” 代表130A 连续漏极电流，“N” 为 N 沟道标识，“03” 代表30V 漏源耐压，“D” 为版本标识（TO-252 贴片封装，2500 片 / 卷）；
• MOT130N03C：后缀 “C” 对应 TO-251 直插封装，每管 70 片，适配传统插装式电路设计。

六、典型应用场景

MOT130N03D 凭借 30V 耐压、130A 大电流及低导通损耗特性，典型应用包括：

• 适配器与充电器功率开关：在电源适配器、快充充电器的功率开关电路中，低损耗特性提升转换效率与充电速度；
• 低压大电流负载控制：如小型直流电机驱动、电池充放电管理等场景，适配 30V 以下的大电流功率切换需求。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）