STMicroelectronics STNRG328S数字控制器(用于STC/HSTC开环谐振转换器)设计用于电源转换。该器件在40V至60V典型输入电压范围内执行电源转换,输出电压的可编程转换比为2:1至10:1,具有固定占空比和140kHz至300kHz可编程频率。
数据手册:*附件:STMicroelectronics STNRG328S数字控制器(用于STC,HSTC)数据手册.pdf
STNRG328S数字控制器支持500W至2KW输出功率,在宽负载范围内具有非常高的效率,效率峰值为98.4%。
状态机事件驱动 (SMED) 实现重要功能,确保所有STC/HSTC控制功能正常。SMED驱动ZCD(零电流检测)功能,可管理死区时间和开关频率,从而不管外部元件变化实现完美的LC谐振和最高效率。STNRG328S固件专门设计用于对SMED进行编程,并实施控制策略。
STNRG328S与STPRDC02A栅极驱动器(设计用于STC应用)以及热插拔电路(通常为电子保险丝)结合,可避免输入48V总线热插拔时造成损坏。
特性
- 数字控制器,用于STC/HSTC拓扑
- 支持2:1至10:1宽转换比,提供多种Vout
- 状态机事件驱动 (SMED) 实现关键控制功能:
- 与热插拔控制器结合,可限制电流
- 工作输入电压窗口
- 转换比控制
- PWM频率和死区时间管理,确保ZCD功能
- 软启动控制
- 驱动程序管理
- 温度控制
- 典型应用:服务器直流/直流中间总线生成,输入电压范围为40V至60V,输出功率范围为200W至2kW
- 外设
- 10位ADC
- UART接口
- I^2^C主设备快/慢速数据率
- GPIO
- 存储器
- 具有可同时读写功能 (RWW) 和纠错码 (ECC) 的闪存和EEPROM
- 程序存储器:32KB闪存;数据保留:55℃条件下1000次擦写周期后,55℃条件下保留20年
- 数据存储器:1KB真数据EEPROM;数据保留:85℃条件下1000次擦写周期后,55℃条件下保留20年
- RAM:6KB
- 工作温度范围:-40°C至105°C
- VFQFPN32 5mm x 5mm封装
STC典型应用

器件架构

STNRG328S数字控制器技术详解与应用指南
一、产品概述与技术定位
STNRG328S是STMicroelectronics推出的专为STC/HSTC拓扑设计的数字控制器芯片。该器件主要面向服务器领域的DC/DC中间总线生成应用,典型输入电压范围为40V至60V,输出功率覆盖500W至2kW。其核心竞争力在于通过 状态机事件驱动(SMED) 架构实现高效能功率转换,峰值效率可达98.4%。
核心技术特点
- 支持宽转换比:2:1至10:1
- 开关频率可编程:140kHz至300kHz
- 工作温度范围:-40°C至105°C
- 封装形式:VFQFPN32 (5x5 mm)
二、系统架构深度解析
2.1 SMED核心架构
SMED(State Machine Event Driven)是STNRG328S的控制核心,具备以下关键特性:
- 生成6路独立PWM信号
- 无需软件干预即可响应内外事件
- 与STM8微控制器协同工作,实现智能电源管理
2.2 完整功能模块
- 处理器核心:STM8微控制器
- 存储系统:
- 32KB Flash程序存储器(20年数据保持)
- 1KB EEPROM数据存储器
- 6KB RAM
- 通信接口:
- UART异步通信(支持SW流控制)
- I2C主设备接口(快/慢速模式)
- 模拟子系统:
- 时钟系统:内部PLL提供96MHz高频时钟
三、关键引脚功能分析
3.1 功率管理与保护引脚
EFUSE_Enable (Pin 2) :SMED PWM4通道输出,用于控制EFUSE电路。正常状态为高电平,保护触发时设置为低电平。
PGOOD (Pin 3) :开漏输出,软启动结束时上升。高电平表示STC正常运行且输出电压已调节。
3.2 电压检测与保护引脚
VOUT_OVP (Pin 8) :基于VIN的VOUT过压保护比较器正输入端。
VDRV_Prot (Pin 9) :Vdriver保护比较器正输入端,检测MOSFET栅极供电的危险低电平。
3.3 ADC采样通道配置
- TEMP (Pin 20):NTC温度传感器读取
- VOUT_Efuse (Pin 19):软启动和过流保护采样
- ZCD1/ZCD2 (Pins 17-18):零电流检测管理
- VOUT (Pin 16):输出电压采样
- VIN (Pin 15):STC输入电压采样
四、固件架构与PMBus协议实现
4.1 固件功能模块
STNRG328S采用完全固化的二进制文件包,包含以下核心功能:
- 主控制:管理状态机切换活动或稳态模式
- SMED初始化:设置初始PWM频率和死区时间
- PMBus通信接口:外部编程参数和STC/HSTC控制
4.2 ZCD矩阵算法
ZCD矩阵在RAM和EEPROM中定义了基于输入电压的ZCD板配置频率和死区时间,并实现了ZCD表的写入、读取和搜索功能。
五、电气特性与设计考量
5.1 绝对最大额定值
- VDS最大电压:决定器件耐压能力
- 工作温度范围:-40°C至105°C
- 存储温度:-65°C至150°C
5.2 典型工作条件
- 供电电压:3.3V至5V(优化性能在5V)
- 内部参考电压:1.25V(典型值)
- 热阻:ΘJA = 26°C/W
六、典型应用场景与设计建议
6.1 服务器电源架构
在典型4:1转换比应用中,STNRG328S与STPRDC02A栅极驱动器以及热插拔电路(通常为e-fuse)协同工作,防止输入48V总线热插拔期间损坏。
6.2 布局与热管理要点
- 电源滤波:VDD和VDDA必须正确滤波
- 参考电压:VREF引脚需连接1μF滤波电容
- 热设计:确保结温不超过150°C