TE Connectivity 85UHP超高纯度压力传感器技术解析与应用指南

描述

TE Connectivity(TE) 的Measurement Specialties 85UHP 压力传感器配备一个MEMS压阻芯片,该芯片集成在涂有硅油的316L不锈钢或合金C276模块中,可从正面的薄波纹膜片传输压力。这款介质兼容、可焊接的紧凑型型材专为OEM设计和制造,适用于比TE标准 85 ISO胶囊更长的半导体应用工艺持续时间。

数据手册:*附件:TE Connectivity , Measurement Specialties 85UHP压力传感器数据手册.pdf

TE Connectivity (TE) Measurement Specialties 85UHP压力传感器提供经过优化的接液材料选项与表面粗糙度,专用于超高纯度与超高真空工况。该系列器件利用TE先进的MEMS能力,可实现无与伦比的精度与稳定性。

特性

  • 高真空稳定性
  • 符合F105标准的接触表面(合金C276变速)
  • -40 °C 到 + +125 °C 工作温度
  • 压力非线性可达±0.1%
  • 固态可靠性

尺寸 - 未补偿

OEM

尺寸 - 恒流补偿

OEM

尺寸 - 恒压补偿

OEM

TE Connectivity 85UHP超高纯度压力传感器技术解析与应用指南

一、产品概述与技术亮点

TE Connectivity推出的85UHP系列压力传感器代表了超高纯度应用领域的尖端技术成就。该产品采用模块化设计的MEMS压阻芯片,集成在316L不锈钢或C276合金封装内,通过硅油填充将压力传递至前端的薄波纹膜片。

核心创新特性‌:

  • 超高真空稳定性‌:在10⁻³Pa真空环境下保持±0.1%SPAN/年的输出漂移
  • 材料兼容性优化‌:提供316L SS和C276合金两种润湿表面材料选项
  • 长期稳定性保障‌:0.1%Span/年的长期稳定性指标
  • 超纯环境适应‌:表面粗糙度优化,适用于半导体工艺中的超高纯度和超高真空场景

二、关键参数深度解析

1. 基本电气特性(非补偿型)

  • 灵敏度‌:12-27mV/V@Span
  • 零点输出‌:-6.0至+8.0mV/V
  • 压力非线性度‌:±0.1%Span(最佳拟合直线)
  • 桥路电阻‌:3.8K-5.8KΩ
  • 供电电流‌:1.5mA(典型值)

2. 温度特性参数

  • 电阻温度系数‌:1300-1750PPM/°C
  • 跨度温度系数‌:-1650至-1000PPM/°C
  • 偏移温度系数‌:-30至30µV/V/°C
  • 热滞回‌:±0.05%Span(典型值)

3. 补偿型版本性能提升

恒流补偿型‌:

  • 跨度输出:75-150mV(典型值100mV)
  • 温度误差:±0.75%Span(补偿温度范围-20°C至85°C)
  • 输入电阻:2.0-5.8KΩ

恒压补偿型‌:

  • 跨度输出:99-101mV(10VDC供电)
  • 温度误差:±1.0%Span
  • 工作电压范围:5-14VDC

三、应用场景与技术优势

1. 半导体制造关键应用

  • 气体柜系统‌:提供精确的压力监控
  • 质量流量控制器‌:确保工艺气体精确控制
  • 高纯度气体输送系统‌:维持系统纯度和稳定性
  • 晶圆加工设备‌:在严苛的真空环境下保持测量精度

2. 可靠性设计特征

  • 固态可靠性‌:无移动部件,确保长期稳定运行
  • 过载保护‌:3倍额定压力的过载能力,4倍爆破压力
  • 绝缘性能‌:50MΩ以上的绝缘电阻(50VDC测试)

四、选型指导与安装要点

1. 型号编码解读

示例:85UHP-015A-VS1C

  • 85UHP‌:基本型号
  • 015‌:压力范围(15PSI)
  • A‌:绝对压力类型
  • V‌:恒压补偿
  • S‌:316L SS润湿材料
  • 1‌:Ra32表面粗糙度
  • C‌:带连接器的电缆(L80mm)

2. 安装注意事项

  • 膜片保护‌:严禁直接机械接触膜片表面
  • 缺陷防范‌:确保膜片无划痕、穿孔、凹痕、指纹等缺陷
  • 保护帽使用‌:设备不使用时必须使用保护帽
  • 焊接工艺‌:润湿表面不包括焊珠,粗糙度可选

五、性能验证与测试标准

1. 出厂测试流程

  • 基础功能测试‌:在1.5mA和室温条件下进行
  • 漂移测试‌:所有单元均进行100%漂移测试
  • 非全面测试‌:单元不在整个温度和压力范围内测试

2. 质量标准认证

  • C276材料‌:符合SEMI F105标准
  • 包装标准‌:32个单元固定在真空化的ESD袋中的运输托盘内

六、技术发展趋势

85UHP传感器在以下技术方向具有重要发展潜力:

  1. 更高纯度要求‌:随着半导体工艺节点的不断缩小,对纯净度的要求将持续提升
  2. 更宽温度范围‌:未来可能扩展补偿温度范围至-40°C至125°C
  3. 智能化集成‌:与物联网平台集成,实现实时监控和预测性维护
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