选型手册：MOT65R600F 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT65R600F 是一款基于超级结技术的 N 沟道功率 MOSFET，凭借 650V 耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等高压功率转换场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。

一、产品基本信息

MOT65R600F 为N 沟道超级结功率 MOSFET，核心参数表现为：

• 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压功率转换场景；
• 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 0.54Ω，高压场景下有效降低导通损耗；
• 连续漏极电流（\(I_D\)）：7.3A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载持续工作的电流需求；
• 栅极电荷（\(Q_g\)）：典型值 13.8nC，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性。

二、核心特性

• 超级结架构：通过垂直结构优化，实现高耐压与低导通电阻的平衡，650V 耐压下 \(R_{DS(on)}\) 仅 0.54Ω，显著降低高压转换损耗；
• 低栅极电荷：13.8nC 的栅极电荷特性，减少驱动功耗，支持高频开关应用（如 PFC 拓扑的高频切换）；
• 高鲁棒性设计：单脉冲雪崩能量达 144mJ，dv/dt 耐受能力 50V/ns，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保合规性：符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)，脉冲宽度≤10ms）：21.9A，支持负载短时过载需求；
• 功耗（\(P_D\)）：125W，实际应用需搭配散热措施（如散热片）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 热特性：结壳热阻（\(R_{JC}\)）5℃/W，结环境热阻（\(R_{JA}\)）75℃/W，需结合 PCB 散热设计优化结温。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用 TO-220F 直插封装，包装规格为 50 片 / 管，适配传统插装式高压电路设计；
• 典型应用：
  • 功率因数校正（PFC）：在 AC-DC 转换器的 PFC 前端电路中作为主开关管，提升电网功率因数与电源效率；
  • 开关模式电源（SMPS）：适配反激、正激等拓扑的高压开关电源，如工业电源、服务器电源；
  • 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统的功率转换回路中，实现市电与电池供电的高效切换。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）