选型手册：MOT70R280D 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT70R280D 是一款基于超级结技术的 N 沟道功率 MOSFET，凭借 700V 级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等高压功率转换场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。

一、产品基本信息

MOT70R280D 为N 沟道超级结功率 MOSFET，核心参数表现为：

• 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V 级，适配高压功率转换场景；
• 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值约 0.28Ω，高压场景下显著降低导通损耗；
• 连续漏极电流（\(I_D\)）：需结合具体规格书确认，通常适配中大功率负载的持续电流需求；
• 栅极电荷（\(Q_g\)）：优化设计以降低驱动功耗，提升高频开关适配性。

二、核心特性

• 超级结架构：通过垂直结构创新，实现高耐压与低导通电阻的平衡，700V 耐压下 \(R_{DS(on)}\) 仅 0.28Ω 级，大幅降低高压转换的导通损耗；
• 高频开关能力：优化开关特性，适合 PFC、SMPS 等高频拓扑的快速切换需求，提升系统能量转换效率；
• 高鲁棒性设计：具备优异的雪崩耐量与 dv/dt 耐受能力，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保合规性：符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。

三、典型电气参数（参考同系列超级结 MOSFET 特性，具体以官方手册为准）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：支持数倍于连续电流的短时过载（具体值以规格书为准）；
• 功耗（\(P_D\)）：需结合封装与散热设计，通常适配中大功率场景的热管理需求；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 热特性：结壳热阻（\(R_{JC}\)）与结环境热阻（\(R_{JA}\)）需参考官方数据，实际应用需搭配散热措施优化结温。

四、封装与应用场景

• 封装形式：通常采用 TO-252 贴片封装（后缀 “D” 典型标识），适配高密度电路板的高压功率设计；也可提供 TO-251 直插封装（按需选择）；
• 典型应用：
  • 功率因数校正（PFC）：在 AC-DC 转换器的 PFC 前端电路中作为主开关管，提升电网功率因数与电源效率；
  • 开关模式电源（SMPS）：适配反激、正激等拓扑的高压开关电源，如工业电源、服务器电源；
  • 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统的功率转换回路中，实现市电与电池供电的高效切换。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数为基于超级结 MOSFET 系列特性的推导，实际应用需以 MOT70R280D 官方规格书及器件批次测试数据为准。）