选型手册：MBR10200F 肖特基势垒整流二极管

仁懋电子（MOT）推出的 MBR10200F 是一款 10A 规格的肖特基势垒整流二极管，凭借 200V 耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。

一、产品基本信息

• 核心参数：
  • 峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：200V
  • 平均整流输出电流（\(I_o\)）：10A（总电流）/ 5A（每芯片）
  • 正向压降（\(V_F\)）：\(I_F=5A\) 时典型值 0.84V，\(I_F=10A\) 时典型值 0.88V
• 封装形式：TO-220F，包装规格为 50 片 / 管。

二、核心特性

• 低正向压降：在大电流工况下仍保持较低的导通损耗，提升电源转换效率；
• 高浪涌电流耐受：非重复峰值正向浪涌电流达150A，可应对负载瞬时大电流冲击；
• 高频整流适配：肖特基结构无反向恢复时间（\(t_{rr} \approx 0\)），适合高频开关电源（如 100kHz 以上拓扑）的整流需求；
• 机械与环保特性：表面耐化学腐蚀、可水洗，Pb-free 封装符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。

三、关键电气参数（\(T_A=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 反向漏电流（\(I_R\)）：\(V_R=200V\) 时典型值 0.02mA，\(T_A=125^\circ\text{C}\) 时最大 6mA；
• 工作结温范围：-55~+175℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 热特性：适配 TO-220F 封装的散热设计，可通过 PCB 敷铜或散热片优化热管理。

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220F 直插封装，引脚间距适配常规直插式电路布局；
• 典型应用：
  • 开关电源输出整流：在 AC-DC、DC-DC 转换器的输出端作为整流管，低损耗特性提升电源效率；
  • 逆变器续流回路：为逆变器中的感性负载（如电机、电感）提供续流路径，无反向恢复特性避免高频干扰；
  • 电池充电器：在大电流电池充电电路中作为整流或防反接二极管，保障充电效率与安全性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）