选型手册：MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT9N50D 是一款面向 500V 高压高频场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及 500V 耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED 电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。

一、产品基本信息

MOT9N50D 为N 沟道增强型功率 MOSFET，核心参数表现为：

• 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压高频供电系统；
• 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 0.7Ω，在高压场景下平衡导通损耗与开关性能；
• 连续漏极电流（\(I_D\)）：9A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达36A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 栅极电荷（\(Q_g\)）：典型值 20nC，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性。

二、核心特性

• 快速开关能力：具备优异的开关速度，适配高频开关电源（如 LLC 拓扑、反激拓扑）及电子镇流器等对开关速度敏感的应用场景，可提升系统能量转换效率。
• 雪崩可靠性：通过雪崩能量测试，单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达9mJ，重复雪崩能量13.5mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强。
• dv/dt 鲁棒性：优化 dv/dt 耐受能力，峰值反向恢复 dv/dt 达4.5V/ns，适应高压高频环境的严苛工作条件。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：44W，实际应用需搭配散热措施（如散热片）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 降额系数：0.35W/℃（结温超过 25℃时），需结合热管理设计调整负载能力。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的高频设计需求；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT9N50C，70 片 / 管），满足传统插装需求；
• 典型应用：
  • 高频开关模式电源：如服务器电源、工业 AC-DC 转换器的 LLC、反激拓扑中，作为主开关管实现高效能量转换；
  • 电子镇流器：用于荧光灯、高压气体放电灯的驱动电路，通过快速开关实现灯光稳定控制；
  • LED 电源：在高压 LED 驱动电源中作为主开关管，兼顾 500V 耐压与高频开关需求。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）