选型手册：MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT4N65F 是一款面向 650V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及 RoHS 合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。

一、产品基本信息

MOT4N65F 为N 沟道功率 MOSFET，核心参数表现为：

• 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；
• 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 2.4Ω，平衡高压场景下的导通损耗与开关性能；
• 连续漏极电流（\(I_D\)）：4A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达16A，满足负载瞬时功率需求；
• 栅极电荷（\(Q_g\)）：典型值 15nC，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性。

二、核心特性

• 低导通电阻与高输入电阻：在 650V 耐压下保持较低的导通损耗，高输入电阻特性简化栅极驱动设计；
• RoHS 合规：采用无卤工艺，符合环保制造要求，适配绿色电子产业需求；
• 高压开关适配性：650V 耐压与稳定的开关特性，适合电子镇流器、变压器等高频高压开关场景。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 雪崩能量：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达260mJ，重复雪崩能量10.6mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 功耗（\(P_D\)）：30W，实际应用需搭配散热措施（如散热片、PCB 敷铜）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用 TO-220F 直插封装，包装规格为 50 片 / 管，适配传统插装式高压电路设计；
• 典型应用：
  • 电子镇流器：用于荧光灯、高压气体放电灯的镇流器电路，实现高频开关与功率控制；
  • 电子变压器：在低压转高压的变压器回路中作为开关管，保障能量高效转换；
  • 开关模式电源：适配反激、正激等拓扑的高压开关电源，实现 650V 级的功率转换。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）