选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT1793G 是一款面向 -100V 低压大电流场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低导通电阻、18A 大电流承载能力及 PDFN 小型化封装，广泛适用于 DC/DC 转换器等高效电源转换场景。

一、产品基本信息

MOT1793G 为 P 沟道增强型功率 MOSFET，漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）达 -100V；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）表现优异，\(V_{GS}=-4.5V\) 时典型值为 95mΩ，\(V_{GS}=-10V\) 时典型值为 85mΩ；连续漏极电流（\(I_D\)）在 \(T_c=25^\circ\text{C}\) 时为 -18A。

二、核心特性

• 超低导通电阻：在 -4.5V、-10V 栅压下分别实现 95mΩ、85mΩ 超低导通电阻，大幅降低低压大电流场景下的导通损耗。
• 小型化封装：采用 PDFN5X6-8L 表面贴装封装，适配高密度电路板的空间约束，每卷 5000 片，满足批量生产需求。
• 环保合规性：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。
• 大电流鲁棒性：脉冲漏极电流达 -72A，可应对负载短时大电流冲击，在 DC/DC 转换器的功率切换中可靠性强。

三、关键电气参数

栅源极电压最大值为 ±20V；连续漏极电流在 \(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 -12A；最大功耗为 70W；结壳热阻（\(R_{JC}\)）为 1.79℃/W；工作及存储结温范围为 -55~+150℃。

四、封装与应用场景

封装形式为 PDFN5X6-8L 表面贴装封装，适配小型化、高密度的电源电路设计。典型应用于 DC/DC 转换器，在同步整流、降压 / 升压拓扑中作为 P 沟道主开关管，其超低导通电阻特性可提升电源转换效率，适配消费电子、工业设备的电源模块需求。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）